R
JCS5N60B
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
JCS5N60VB/RB
JCS5N60CB
/SB/BB
600
5.0
2.5
5.0*
2.5*
JCS5N60FB
单
½
Uni
t
V
A
A
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current -continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy
note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current
（note
1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3）
Peak Diode Recovery
dv/dt
（note
3）
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
16
16*
A
V
GSS
±30
V
E
AS
240
mJ
I
AR
5.0
A
E
AR
10.0
mJ
dv/dt
5.5
V/n
s
33
W
W/
℃
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
51
100
0.39
0.80
0.26
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806C
2/12
R
JCS5N60B
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
to
600
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced
T
J
25℃
V
DS
=600V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=480V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
0.65 -
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
- -100 nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=2A
-
1.7 2.4
Ω
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=2A（note 4）
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
4.7
-
S
动态特性
Dynamic Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
-
-
-
490 642
95 124
9
12
pF
pF
pF
版本：201806C
3/12
R
JCS5N60B
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=4.0A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=300V,I
D
=4.0A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
16
42
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
49 111
46 102
37
3.6
4.9
84
-
-
13.3 19
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
5.0
A
I
SM
-
-
16
A
V
GS
=0V,
I
S
=4.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=4.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
330
-
ns
μC
2.67 -
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=25mH, I
AS
=8.0A, V
DD
=50V,
温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25
℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
符 号
Symbol JCS5N60VB JCS5N60CB
/RB
R
th(j-c)
R
th(j-A)
Notes:
最大
Max
/SB/BB
1.25
62.5
JCS5N60FB
3.79
62.5
单½
Unit
2.50
83
℃/W
℃/W
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=25mH, I
AS
=8.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3
：
I
SD
≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201806C
4/12
综合技术交流
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