R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
9.5 A
I
D
650 V
V
DSS
0.95Ω
Rdson-max
（@Vgs=10V）
34 nC
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
APPLICATIONS
High frequency switching
封装
Package
mode power supply
Electronic ballast
UPS
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 20pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 20pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印
记
Marking
JCS10N65BT
JCS10N65ST
JCS10N65CT
JCS10N65FT
JCS10N65FT
封
装
Package
TO-262
TO-263
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF-K2
JCS10N65BT-B-B
JCS10N65ST-S-B
JCS10N65CT-C-B
JCS10N65FT-F-B
JCS10N65FT-F2-B
JCS10N65BT-B-BR
JCS10N65ST-S-BR
JCS10N65CT-C-BR
JCS10N65FT-F-BR
JCS10N65FT-F2-BR
N/A
JCS10N65ST-S-A
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS10N65ST-S-AR
N/A
N/A
N/A
版本：201806K
1/13
R
JCS10N65T
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
单
½
JCS10N65CT/BT/ST JCS10N65FT Unit
650
9.5
6.0
30
650
9.5*
6.0*
30*
V
A
A
A
数 值
Value
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current – pulse（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
V
GSS
±30
V
单脉冲雪崩½量
（注
2）
E
AS
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
I
AR
713
mJ
9.5
A
重复雪崩½量
（注
1）
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化速率
（注
3）
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
178
17.8
mJ
4.5
50
V/ns
W
耗散功率
Power Dissipation
1.43
0.4
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806K
2/13
R
JCS10N65T
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=4.75A
25℃
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=4.75A
100℃
V
GS
=10V , I
D
=4.75A
150℃
3.0
-
-
-
-
-
4.5
V
Ω
Ω
Ω
S
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
650
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
V
DS
=650V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=520V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
0.68
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
0.85 0.95
1.49 2.0
2.21 3.0
8.2
-
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=4.75A（note
4）
Rg
C
iss
C
oss
C
rss
F=1.0MH
Z
open drain
0.5
-
3.2
Ω
pF
pF
pF
800 1610 2065
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
60
10
156
20
210
26
版本：201806K
3/13
R
JCS10N65T
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=520V ,
I
D
=9.5A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=325V,I
D
=9.5A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
68
91
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
109 150
214 300
85 165
34
6.9
12
45
15
30
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
9.5
A
I
SM
-
-
30
A
V
GS
=0V,
I
S
=9.5A
-
1.05 1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=9.5A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
425 900
4.31 8.0
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=14.5mH, I
AS
=9.5A, V
DD
=50V,
结温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤9.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始
符 号
Symbol
R
th(j-c)
R
th(j-A)
最大
Max
JCS10N65CT/BT/ST
0.7
62.5
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
JCS10N65FT
2.5
62.5
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
2：L=14.5mH, I
AS
=9.5A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤9.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201806K
4/13
R
JCS10N65T
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
特征曲线
On-Region Characteristics
V
GS
15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
10
I
D
[A]
I
D
[ A ]
10
150
℃
1
25
℃
1
Notes:
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
1
10
0.1
2
4
6
Notes:
1.250μs pulse test
2 . V =40V
DS
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[ V ]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.00
0.95
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
R
DS
( o n ) [ Ω ]
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0
I
DR
[ A ]
V
GS
= 1 0 V
1
150
℃
25
℃
V
GS
= 2 0 V
N o t e
j
= T 5
:2
℃
0.1
0.2
Notes:
1. 250μs pulse test
2 .
GS
= 0 V
V
18
2
4
6
8
10
12
14
16
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
I
D
[ A ]
V
SD
[ V ]
Capacitance Characteristics
3x10
3
Gate Charge Characteristics
[pF]
C
i s
=C
gs
+C
gd
(C
ds
= s h o r t e d )
s
C
o s
=C
ds
+C
gd
s
C
r s
=C
gd
s
2x10
3
Capacitance
1x10
3
0
10
-1
10
0
10
1
V
DS
Drain-Source Voltage [V]
版本：201806K
5/13
嵌入式系统
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