Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> JCS4N60RC-DPAK

JCS4N60RC-DPAK: 产品描述漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：159.2W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小1MB，共14页; 制造商吉林华微; 官网地址http://www.hwdz.com.cn/About/164; 华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年330万片，封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。

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JCS4N60RC-DPAK概述

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：159.2W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A

JCS4N60RC-DPAK规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	159.2W(Tc)
类型	N沟道

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N 沟道增强型场效应晶½管

N-CHANNEL MOSFET

JCS4N60C

主要参数

MAIN

CHARACTERISTICS

封装

Package

DSS

Typ

Rdson

（Vgs=10V） Max

Qg-typ

用途



高频开关电源



电子镇流器



LED

电源

4.0 A

600 V

2.0Ω

2.5Ω

17.5nC

APPLICATIONS



High frequency switching

mode power supply



Electronic ballast



LED power supply

产品特性



½栅极电荷



rss

(典型值 3.06pF)



开关速度快



产品全部经过雪崩测试



高抗

dv/dt

½力



RoHS

产品

FEATURES



Low gate charge



Low C

rss

(typical 3.06pF )



Fast switching



100% avalanche tested



Improved dv/dt capability



RoHS product

订货信息

ORDER MESSAGE

订货型号

Order codes

有卤-条管

无卤-条管

有卤-编带

有卤-条管

印

记

Marking

JCS4N60V

JCS4N60C

JCS4N60F

JCS4N60R

JCS4N60B

封

装

Package

IPAK

IPAK-S2

TO-220C

TO-220MF

TO-220MF-K2

DPAK

TO-262

Halogen-Tube

JCS4N60VC-V-B

JCS4N60VC-V2-B

JCS4N60CC-C-B

JCS4N60FC-F-B

JCS4N60FC-F2-B

JCS4N60RC-R-B

JCS4N60BC-B-B

Halogen-Free-Tube

JCS4N60VC-V-BR

JCS4N60VC-V2-BR

JCS4N60CC-C-BR

JCS4N60FC-F-BR

JCS4N60FC-F2-BR

JCS4N60RC-R-BR

JCS4N60BC-B-BR

Halogen-Reel

N/A

JCS4N60RC-R-A

N/A

Halogen-Tube

N/A

JCS4N60RC-R-AR

N/A

版本：201807N

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