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HBR3100-DO-201AD

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):800mV @ 3A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小430KB,共8页
制造商吉林华微
官网地址http://www.hwdz.com.cn/About/164
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
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HBR3100-DO-201AD概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):800mV @ 3A

HBR3100-DO-201AD规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)800mV @ 3A
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