R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS2N65C
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson_max
（Vgs=10V）
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED
电源
2.0 A
650 V
5.5 Ω
8.4 nC
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
LED power supplies
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 3.65pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½C
rss
(典型值 3.65pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
订货信息
ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印记
Marking
2N65T
JCS2N65V
JCS2N65R
JCS2N65C
JCS2N65F
JCS2N65F
封装
Package
TO-92
IPAK
DPAK
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF-K2
N/A
JCS2N65VC-V-B
JCS2N65RC-R-B
JCS2N65CC-C-B
JCS2N65FC-F-B
JCS2N65FC-F2-B
N/A
JCS2N65VC-V-BR
JCS2N65RC-R-BR
JCS2N65CC-C-BR
JCS2N65FC-F-BR
JCS2N65FC-F2-BR
JCS2N65TC-T-A
N/A
JCS2N65RC-R-A
N/A
N/A
N/A
JCS2N65TC-T-AR
N/A
JCS2N65RC-R-AR
N/A
N/A
N/A
版本：201806J
1/16
R
JCS2N65C
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符
号
Symb
ol
V
DSS
I
D
T=25
℃
T=100
℃
I
DM
2.0
数 值
Value
JCS2N65 JCS2N65
VC/RC
CC
JCS2N65 JCS2N65FC
FC
（220MF/K2）
JCS2N65
TC
绝对最大额定值
项
目
Parameter
单
½
Unit
V
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
650
2.0*
A
连续漏极电流
Drain Current-continuous
1.3
1.3*
A
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current – pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
8.0
8.0*
A
V
GSS
±30
V
E
AS
207
mJ
雪崩电流
（注
1）
I
AR
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche
Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变
化速率
（注
3）
Peak Diode Recovery
dv/dt
（note
3）
E
AR
1.9
A
4.2
mJ
dv/dt
4.6
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25
℃
-Derat
e
above
25℃
T
J
，
T
STG
B
B
44
54
38.8
34.06
130.2
W
0.35
0.43
0.31
0.272
1.04
W/
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
-55½+150
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806J
2/16
R
JCS2N65C
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型 最大 单½
Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=1.0A
25℃
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=1.0A
100℃
V
GS
=10V , I
D
=1.0A
150℃
2.0
-
-
-
-
-
4.0
7.0
10.4
2.45
4.0
5.5
10.0
14.0
-
V
Ω
Ω
Ω
S
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
650
-
-
V
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
=1mA, referenced to 25℃
V
DS
=650V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=520V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
0.65
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=1.0A
（note
4）
动态特性
Dynamic Characteristics
Rg
Ciss
C
oss
C
rss
F=1.0MHZ open drain
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
B
1.0
80
10
0.2
-
313
31.2
3.65
7.5
550
80
10
Ω
pF
pF
pF
B
版本：201806J
3/16
R
JCS2N65C
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=520V ,
I
D
=2.0A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=325V,I
D
=2.0A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
20.3
145
33.3
11.8
8.4
1.6
3.1
50
220
80
45
18
4.0
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
开启延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
关断延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
1.9
A
I
SM
-
-
8.0
A
V
GS
=0V,
I
S
=2.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=2.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
284
1.08
600
3.0
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=95mH, I
AS
=2.0A, V
DD
=50V,
温T
J
=25℃
3：I
SD
≤2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
符 号
Symbol
JCS2N65 JCS2N65 JCS2N65 JCS2N65FC
VC/RC
CC
FC
（220MF/K2）
最大
Max
单 ½
JCS2N65
Unit
TC
R
th(j-c)
2.87
2.32
3.22
3.67
0.96
℃/W
R
th(j-A)
110
40.25
39.68
47.33
120
℃/W
Notes:
1：
Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=95mH, I
AS
=2.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201806J
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R
JCS2N65C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
10
特征曲线
On-Region Characteristics
Top
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
I
D
[A]
I
1
D
[A]
150
℃
1
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
0.1
1
10
0.1
2
4
25
℃
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
6
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
7.5
7.0
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
R
D S ( o
[
)
Ω ]
n
6.5
6.0
I
DR
[A]
V
GS
= 1 0 V
1
25
℃
5.5
V
GS
= 2 0 V
5.0
150
℃
N o t e T
j
= 2 5
：
℃
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.5
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
4.0
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
I
D
[ A ]
V
S D
[V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
版本：201806J
5/16
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
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