MX612E
有刷直流马达驱动电路
MX612E
特性
½待机电流
(小于 0.1uA)
½导通内阻
MOSFET
功率开关管
— 采用
MOS
工艺设计功率管
—
1200
毫安通道功率管内阻
0.35
欧姆
—
200
毫安通道功率管内阻
0.31
欧姆
特定条件下
VCC
可以悬空
— 输入信号最½高电平电压大于
2.4V
较小的输入电流
— 集成约
15K
对地下拉电阻
—
VCC
正常连接,3V 驱动信号平均
200uA
输
入电流
—
VCC
悬空,3V 驱动信号平均
350uA
输入电
流
内½带迟滞效应的过热保护电路
(TSD)
抗静电等级:3KV
(HBM)
概述
该产品采用
H
桥电路结构设计,采用高可靠性
功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负½½。
电路内部集成
N
沟道和
P
沟道功率
MOSFET,工½
电压范围覆盖
2V
到
9.6V。27℃,VDD=6.5V
条件下
最大持续输出电流达到
1.5A,最大峰值输出电流达
到
2.5A。
该单路为功率器件,本身具备一定内阻,电路
的发热与负½½电流、功率管导通内阻以及环境温度
密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时
监控芯片内部发热,½芯片内部温度超过设定值时
(典型值 150℃),产生功率管关断信号,关闭负½½电
流,避免因异常½用导致的温度持续升高,进而造
成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内½
的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才
允许重新对功率管进行控制。
应用范围
2-6
节
AA/AAA
干电池供电的玩具马达驱动
2-6
节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱
动
1-2
节锂电池供电的马达驱动
电子锁
订购信息
产品型号
MX612E
封装
SOP8
工½温度
-20℃ ~ 85℃
典型应用图
2V-9.6V
4.7uF-
100uF
1.8V-5V
C1
INB
4.7uF
C2
INA
3
2
7
6
1
4
VDD
OUTB
VCC
5
M
0.1uF
INB
INA
GND
GND
OUTA
8
C3
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1
传真:0755-26895685
SinotechMixic Electronics Co.,LTD
MX612E
引脚排列
1
VCC
OUTA
8
引脚定义
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VCC
INA
INB
VDD
OUTB
GND
GND
OUTA
输入/输出
-
I
I
-
O
-
-
O
引脚功½描述
逻辑控制电源端
正½逻辑输入
反½逻辑输入
功率电源端
反½输出
接地端
接地端
正½输出
2
INA
GND
7
3
INB
GND
6
4
VDD
OUTB
5
功½框图
VCC
1
VCC
VDD
4
VDD
2
INA
15K
电平½换电路
GND
VCC
栅
驱
动
电
路
逻
辑
电
路
栅
驱
动
电
路
GND
OUTA
8
3
INB
15K
GND
VDD
电平½换电路
GND
OUTB
5
过热保护电路
6
GND
7
GND
逻辑真值表
INA
L
H
L
H
INB
L
L
H
H
OUTA
Z
H
L
L
OUTB
Z
L
H
L
功½
待机
正½
反½
刹½
典型波½示意图
正½
INA
输入信号
INB
L
H
L
反½
L
H
L
刹½
H
H
待机
马达两端电压
VDD
(V
OUTA
-V
OUTB
)
0
-VDD
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MX612E
绝对最大额定值(T
A
=25℃)
参数
最大逻辑控制电源电压
最大功率电源电压
最大外加输出端电压
最大外加输入电压
最大峰值输出电流
最大功耗
结到环境热阻
工½温度范围
结温
储存温度
焊接温度
ESD(注 3)
注:
(1)、不同环境温度下的最大功耗计算公式为:
P
D
=(150℃-T
A
)/θ
JA
符号
VCC(MAX)
VDD(MAX)
VOUT(MAX)
VIN(MAX)
IOUT(PEAK)
P
D
SOP8
封装
θ
JAS
T
opr
T
J
Tstg
T
LED
值
7
10
VDD
VCC
2.5
1
123
-20~+85
150
-55~+150
260℃,10
秒
3000
单½
V
A
W
℃/W
℃
℃
℃
V
T
A
表示电路工½的环境温度,θ
JA
为封装的热阻。150℃表示电路的最高工½结温。
(2)、电路功耗的计算方法:
P =I
2
*R
其中
P
为电路功耗,I 为持续输出电流,R 为电路的导通内阻。电路功耗
P
必须小于最大功耗
P
D
(3)、人½模型,100pF
电容通过
1.5KΩ
电阻放电。
推荐工½条件(T
A
=25℃)
参数
逻辑和控制电源电压
功率电源电压
持续输出电流
符号
VCC
VDD
I
OUT
最小值
1.8
2
典型值(VDD=6.5V)
--
--
1.5
最大值
5
9.6
单½
V
V
A
注:(1)、逻辑控制电源
VCC
与功率电源
VDD
内部完全独立,可分别供电。½两个输入信号½是½时,电路
功率电源
VDD
将进入
0
电流待机模式。
(2)、
持续输出电流测试条件为:
电路贴装在
PCB
上测试,
SOP8
封装的测试
PCB
板尺寸为
22mm*18mm。
(3)、最大持续输出电流与环境温度有关系。40℃环境温度下电路最大持续电流比 25℃环境温度下小约
7%。
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MX612E
电特性参数表
(T
A
=25℃, VCC=3V, VDD =6V
除非另有规定)
参数
电源参数
VCC
待机电流
VDD
待机电流
VCC
静态电源电流
VDD
静态电源电流
I
VCCST
I
VDDST
I
VCC
I
VDD
INA=INB= L;VCC=7V;
VDD=10V;输出悬空
INA=H OR INB=H;输出悬空
INA=H OR INB=H;输出悬空
--
--
--
--
0.6*VCC
--
V
INH
=3V,VCC=3V
V
INH
=3V,VCC=3V
2.4
--
V
INH
=3V,VCC
悬空
V
INH
=3V,VCC
悬空
IO=±200mA VDD=6.5V TA=25℃
IO=±1.2A VDD=6.5V TA=25℃
--
--
0
0
142
190
--
--
0.4
200
15
--
--
0.4
350
15
0.31
0.35
150
20
0.79
0.79
150
29
173
67
65
172
--
--
uA
KΩ
--
0.6
uA
KΩ
V
10
10
--
--
--
0.6
V
uA
uA
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单½
输入逻辑电平-VCC 正常接电压
V
INH
输入高电平
输入½电平
输入电平迟滞
输入高电平电流
输入下拉电阻
输入逻辑电平-VCC 悬空
输入高电平
输入½电平
输入电平迟滞
输入高电平电流
输入下拉电阻
功率管导通内阻
导通内阻
保护功½参数
热关断温度点
热关断温度迟滞
TSD
TSDH
R
ON
V
INH
V
INL
V
HYS
I
INH
R
IN
V
INL
V
HYS
I
INH
R
IN
Ω
℃
功率
MOSFET
½二极管导通特性
V
PD
I=400mA,VCC=3V,VDD=INA=INB=0V
PMOS
½二极管
NMOS
½二极管
输出上升时间
输出下降时间
输入
A
对输出
A
同向信
号延迟
输入
A
对输出
B
反向信
号延迟
V
ND
t
r
t
f
t
rr
t
ff
t
rf
t
fr
I=-400mA, VCC=VDD=3V,INA=INB=0V
INB=GND,INA
输入
20KHZ
的
PWM
信
号。OUTA 接
100
欧姆负½½到
GND
INB=GND,INA
输入
20KHZ
的
PWM
信
号。OUTA 接
100
欧姆负½½到
GND
INB=5V,INA
输入
20KHZ
的
PWM
信
号。OUTB 接
100
欧姆负½½到
GND
时间参数(VCC=VDD=5V)
V
ns
ns
ns
备注:1、输入
B
对输出
B
同向信号延迟与上表输入
A
对输出
A
同向信号延迟相同。
2、输入 B
对输出
A
反向信号延迟与上表输入
A
对输出
B
反向信号延迟相同。
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MX612E
测试原理图
电流源
I=400mA
1
4
1
VCC
VDD
OUTB
5
VCC
OUTB
5
3V
7
3V
4
7
6
3
2
VDD
GND
GND
INB
INA
OUTA
8
3V
GND
GND
INB
INA
OUTA
8
6
3
2
电流源
I=400mA
PMOS
½二极管导通电压测试原理图
1
4
5V
NMOS
½二极管导通电压测试原理图
VCC
VDD
OUTB
5
100
4.7uF
3
2
7
6
INB
INA
GND
GND
OUTA
8
100
时间参数测试原理图
INB
INA
t
rr
=173ns
t
ff
=67ns
t
ff
=67ns
t
fr
=172ns
t
rf
=65ns
t
fr
=172ns
OUTB
t
rr
=173ns
t
rf
=65ns
OUTA
t
时间参数定义
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