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TD-5型超声波微型雾化加湿器电路T电源变压器FU熔断器VT三极管L1、L2、L3电感器B压电陶瓷片换能器S-N磁环浮子SL水位开关RP1雾量调节电位器RP2可调电阻。...[详细]
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超级电容器在轻轨列车减速停站时回收动能，未来也可应用于航母电磁弹射器。 手机充电仅需2秒钟、储能式轻轨列车充电仅需20余秒钟就能满足正常运用，这就是超级电容的神奇功能。如今，中国人已牢牢占据这一世界前沿技术的高地。 9月12日，从中国南车株洲电力机车有限公司传来消息，其旗下宁波南车新能源科技有限公司自主研制的世界最大功率超级电容单体（7500F）成功实现了批量生产，首批5000只75...[详细]
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广泛应用的AB类放大器push-pull电路如图1，但是现在有了一些改进。图1AB类放大器电路有一些改进首先，我们来看看它的热补偿是如何工作的。Q1和Q2表示输出晶体管的捷径，因为通常这些输出器件是达林顿或互补对。Q1和Q2的偏置电压与齐纳（D1）电压和Q4和Q5晶体管的Vbe压降相加，后者与温度有关。通常Q4和Q5与晶体管Q1和Q2位于同一散热片上。通常Vbe（在我们的上下...[详细]
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单片机论文九水温控制系统 一、任务 设计并制作一个水温自动控制系统，控制对象为1升净水，容器为搪瓷器皿。水温可以在一定范围内由人工设定，并能在环境温度降低时实现自动控制，以保持设定的温度基本不变。 二、要求 1．基本要求 （1）温度设定范围为40～90℃，最小区分度为1℃，标定温度≤1℃。 （2）环境温度降低时（例如用电风扇降温）温度控制的静态误差≤1℃。...[详细]
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苹果获得的第三项滑动解锁专利，自此苹果解锁专利范围进一步扩大：无需“预先定义的路径”，也不再要求“预先定义的起点和终点”，只要是“持续移动一个图像到解锁区域”就是苹果的滑动解锁专利范围。不管你以什么样的路径、方向、起终点进行滑动解锁，只要你在解锁过程中“持续移动”了一个图像，这就是苹果的专利范围。 各大厂商一直在修改自己的解锁方式规避苹果的专利范围，但这次又给各位出了个大难题，同时今年...[详细]
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门1至7为两块CMOSC006，YD为2.5英寸动圈喇叭。R1可调节光照灵敏度，增减R3（或C1）改变暂态时间。...[详细]
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飞控计算机CPU模块的处理器通常选用PowerPC或X86系列，CPU模块设计有专门的FLASH芯片，为保证飞控程序存放的正确无误，FLASH测试必不可少。而智能接口模块的处理器通常选用TMSF240、TMSF2812等，采用片内FLASH存放自己的程序。这部分FLASH的自测试常常被忽视，而这是飞控系统不能容忍的。本文介绍了一种基于TMSF240芯片内部FLASH的自测试方法。 1问题描述...[详细]
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概述MAX16977为内置高边开关的2A、电流模式降压转换器。器件设计工作在3.5V至36V输入电压范围，空载时仅消耗30µA静态电流。开关频率通过外部电阻在1MHz至2.2MHz之间调整，并可同步至外部时钟。器件输出电压可通过引脚选择为固定5V输出或者1V至10V可调输出。宽输入电压范围以及在瞬态欠压下的高占空比工作特性，使得该器件非常适合汽车以及工业应用。器件在轻载时工作于跳脉冲模式...[详细]
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加速全球增长：xMEMSLive–China2023新系列研讨会的宣布标志着xMEMS在中国的显著扩张，同时在亚洲、北美和欧洲持续增长中国，北京-2023年9月6日-半导体初创公司xMEMSLabs今天宣布推出为期两天的xMEMSLive–China2023研讨会，旨在通过产品演示、主题演讲和深入的技术讲座展示公司对中国消费技术和音频品牌的持续支持，该研讨...[详细]
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加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)2016年9月14日凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出演示电路2459A，其采用了50Msps、16位数模转换器(DAC)LTC1668。这款高性能DAC在具有介于音频频段和几MHz之间模拟频率分量的应用中非常受欢迎。DC2459A是原始演示电路的完...[详细]
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单限比较器电路图1a给出了一个基本单限比较器。输入信号Uin，即待比较电压，它加到同相输入端，在反相输入端接一个参考电压（门限电平）Ur。当输入电压UinUr时，输出为高电平UOH。图1b为其传输特性。LM339集成块内部装有四个独立的电压比较器，该电压比较器的特点是：1）失调电压小，典型值为2mV；2）电源电压范围宽，单电源为2-36V，双电源电压为±1V-±18V；3）对...[详细]
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日本DIN-TEK半导体是日本著名的功率半导体器件供应商，主要供应工业领域、3C消费类领域中AC-DC电源、DC-DC电源、及工控主板等系统中所必需的MOSFET、二极管、肖特基等产品。并为多个日本顶级半导体厂商提供功率器件制程开发技术支持，专利技术共享支持等，DIN-TEK半导体新近推出的DT系列最新技术超级结低压沟槽MOSFET就是与多个日本著名半导体厂商合作开发而成，DT系列超级结低压...[详细]
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如果PCB的地较多，有SGND、AGND、GND，等等，就要根据PCB板面位置的不同，分别以最主要的“地”作为基准参考来独立覆铜，即是将地连接在一起。一般铺铜有几个方面原因。１，EMC.对于大面积的地或电源铺铜，会起到屏蔽作用，有些特殊地，如PGND起到防护作用。２，PCB工艺要求。一般为了保证电镀效果，或者层压不变形，对于布线较少的PCB板层铺铜。３，信号完整性...[详细]
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光纤放大器/EDFA,光纤放大器/EDFA的原理和分类光纤放大器分类光放大器主要有三类：(1)半导体光放大器(SOA，SemiconductorOpticalAmplifier)；(2)掺稀土元素(铒Er、铥Tm、镨Pr、铷Nd等)的光纤放大器，主要是掺铒光纤放大器(EDFA)，还有掺铥光纤放大器〔TDFA)及掺镨光纤放大器(PDFA)等；(3)非线性光纤放大器，主要...[详细]
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东芝公司日前表示，即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件，用以满足工业和汽车应用日益增长的需求。东芝公司将首先量产肖特基势垒二极管器件（SBD），SBD的效率相比较传统的硅二极管开关电源提高了50%。另外，SiC功率器件可提供比目前的硅器件更稳定的性能，因此非常适合高电压高电流的应用，包括通信设备、工业、服务器以及汽车的逆变器等等。分析师估计，碳化硅功率器件到2020年将增长1...[详细]
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