Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> IGBT管> SP25N135T

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SP25N135T: 产品描述集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：1350V 类型：场截止不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 400uA; 产品类别分立半导体 IGBT管; 文件大小139KB，共1页; 制造商芯能半导体(Xiner); 官网地址http://www.invsemi.com/; 深圳芯能半导体技术有限公司(Xiner 芯能半导体)成立于2013年，由深圳正轩科技、深圳国资委、深圳人才创新基金、达晨创投、方广资本、厦门猎鹰等知名机构联合投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片以及大功率智能功率模块的研发、应用和销售。芯能拥有一支经验丰富、作风务实的团队，主要人员都有十多年的行业积累，在国内率先成功量产基于FST工艺的IGBT产品。芯能在上海和深圳均有研发中心，并在深圳、上海、青岛、顺德以及杭州等地建立了销售办事处，快速响应客户需求。芯能秉承应用导向、专注研发、开放合作的经营理念，深度挖掘客户应用需求，专注IGBT相关产品的研发设计，协同行业内最优秀的合作伙伴为广大客户提供最稳定的高性价比功率器件。目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT产品，IGBT单管、IPM、IGBT模块和HVIC四个领域都有完善的产品序列，产品性能国内领先。产品广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、变频家电、电磁炉、工业电源、逆变焊机等领域；针对中大功率产品，芯能也能提供系统化解决方案：650V/450A和1200V/450A 智能IGBT功率模块、C1模块、C2模块等产品均得到终端客户的一致认可。芯能作为国内唯一一家同时具备IGBT芯片、IGBT驱动芯片以及大功率智能功率模块设计能力的公司，不仅可以给客户提供完整的解决方案和专业的技术支持，而且还可以根据客户或行业应用需求进行深度定制化设计，提高客户产品的竞争力。我们坚持以客户为中心，希望能进一步跟国内的系统应用公司深度配合，一起打破国外垄断，形成属于国内系统厂商真正的战斗力！

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SP25N135T概述

集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：1350V 类型：场截止不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 400uA

SP25N135T规格参数

参数名称	属性值
集电极电流（Ic）（最大值）	25A
集射极击穿电压（最大值）	1350V
类型	场截止
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2.1V @ 15V,25A
栅极阈值电压-VGE(th)	6.5V @ 400uA

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Xiner

1350V，25A，Trench-FS IGBT

Features



Advanced Trench+FS (Field Stop) IGBT technology

Low Collector-Emitter Saturation voltage, typical

data is 1.9V @ 25A.

Easy parallel switching capability due to positive

Temperature coefficient in Vce.

10uS short-circuit

Fast switching

High input impedance

Pb- Free product

SP25N135T

Schematic Diagram

Applications



Power switch circuit of induction cooker.

TO3PN

Electrical characteristics

(TJ = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

(BR)CES

Parameter

Collector - Emitter breakdown

voltage

Test conditions

= 0V, I

= 0.5mA

=15V,

Units

Min.

1350

—

4.0

—

Typ.

—

1.9

2.05

5.2

2.5

—

Max.

—

2.1

—

6.5

2.9

200

—

100

CE(sat)

Collector-Emitter Saturation

voltage

=25A,T

=25°C

=15V,

=25A,T

=125°C

= V

, I

0.4mA

Ic=25A

Vge=+30V

GE(th)

GES

GESR

CES

Gate threshold voltage

Diode Forward voltage

Gate to Emitter Forward

Leakage

Gate to Emitter reverse

Leakage

Zero gate voltage collector

current

Vge=-30V

=1350V

-200

—

Shenzhen Invsemi Co., Ltd

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