VS3540AC,VS3540AC pdf中文资料,VS3540AC引脚图,VS3540AC电路-Datasheet-电子工程世界

VS3540AC: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道 -30V -3.4A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小574KB，共6页; 制造商威兆(Vanguard); 官网地址http://www.vgsemi.com; 威兆半导体总部坐落于深圳特区高新技术产业园—南山大沙河创新走廊，毗邻中科院深圳研究院、南方科技大学。专业从事等立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业。凭借多年的与知名电源厂家合作经验，坚持在分立器件领域深耕，以提升国内分立器件品牌性能竞争力，以及市场占有比例。威兆专注实现创新，稳定，高效率，低成本整体解决方案，经过长期的努力，已经成为少数同时具备低压，中压，高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件，以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。产品广泛应用于计算机，消费类电子，LCD/LED显示器，通讯电源，工业电源，以及太阳能，风能，锂电等新能源产业。

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VS3540AC概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道 -30V -3.4A

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