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碳化硅（SiC）功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择，因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作，从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外，SiC还支持IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。本文将介绍优化拓扑结构与元器件选型。优化拓扑结构与元器件选型电池供电工具和设备的便利性在很大程度上依赖于快速高效的充电。为此，电池充电解决方案的设计人员必须根据所需的...[详细]

近日，山东大学与华为技术有限公司的研究团队在功率半导体领域取得了一项重要突破，他们通过氟离子注入终端（fluorine-ionimplantationtermination,FIT）技术，成功让全垂直硅基氮化镓（galliumnitride,GaN）沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductorfield-effecttransis...[详细]

中国北京（2025年10月24日）——业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布，其GD32F5xx与GD32G5xx系列MCU配套的STL（SoftwareTestLibrary）软件测试库获得德国莱茵TÜV授予的IEC61508SC3（SIL2/SIL3）功能安全认证。这是继GD32H7与GD32F30xSTL之后，兆易创新在功能安全领域实现的又一重要拓展，...[详细]

经ULSolutions验证，器件符合安全性能的严格规定美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年10月28日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.宣布，VishayAmethermSL2220007bigAMP浪涌限流负温度系数（NTC）热敏电阻获得UL认证。ULSolutions根据FileE209153,Volu...[详细]

摘要本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。简介宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技术，则有必要了解这项技术的优势和挑战，...[详细]

此次合作将带来更智能的汽车电源解决方案，兼具卓越能效与优化性能安森美（onsemi）与佛瑞亚海拉（FORVIAHELLA）签署全新长期协议，将在其先进汽车平台全面采用安森美PowerTrench®T10MOSFET技术T10功率MOSFET器件在能效、功率密度及系统成本方面实现显著提升此次合作将助力双方以创新的高可靠性电源解决方案，共同应对日益增长的车辆电气化需求及新一代...[详细]

EEWorld论坛网友：zjsyjbb在智能传感、小型工控设备等低功耗场景中，电源的稳定性、能效比与紧凑性是核心诉求。最近我收到了PI基于TinySwitch™-5的12W单路输出(DER-1017)开发板，板子整体上非常小巧。从官网提供的资料，我们可以看出，这是一个隔离型的反激电源驱动，支持85-265VAC输入，支持范围非常宽，因为一般而言，电压越低的时候，...[详细]

器件采用紧凑封装，能量吸收能力达340J，电压处理能力高达1200VDC，减少元件数量，节省空间美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年11月18日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新系列绝缘、表面贴装浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCES。VishayBCcomponentsPTCES系列...[详细]

共模正式推出全新一代同步降压直流/直流电源模块GM6403，以“宽压兼容、高效节能”核心优势，为多领域高端应用提供更优解，可替代TI的LMZM33603、LMZM33602等芯片。上个月发布D的高效率、超小型、全集成同步降压电源模块GM6403A，与今天推出的GM6403，主要区别如下：一、GM6403产品介绍GM6403是一个高效的同步3A降压直流/直...[详细]

2月2日消息，韩国电池制造商三星SDI今日表示，公司2025年全年陷入亏损泥潭，净亏损达5849亿韩元（现汇率约合28.15亿元人民币），与2024年同期5755亿韩元的净利润相比由盈转亏。财务数据显示，三星SDI2025年全年营业亏损高达1.72万亿韩元，而上一年度同期实现营业利润3633亿韩元。全年销售额为13.26万亿韩元，同比大幅下滑2...[详细]

摘要同步转换器的工作原理是交替切换控制开关和同步开关器件（通常是FET）的通断状态。这种操作的时序非常重要。如果关断一个开关与接通另一个开关之间的延迟时间过长，效率就会受到影响。如果延迟时间不够长，当大量电流流过这对开关时，就可能发生所谓的“直通”现象。这会显著降低效率，并可能损坏元器件。本文是关于智能GaN降压控制器设计的两篇文章中的第一篇，讨论了所涉及的动态特性及其正确测量方法。...[详细]

产品特性：工业级紧凑型设计，兼具高功率密度和超小尺寸（标准半砖尺寸）板载式传导冷却符合EN62477-1OVCIII安规标准（过压III类）TDK公司宣布，旗下TDK-Lambda品牌高压直流输入的PH-A系列DC-DC电源模块新增600W型号。PH-A系列产品现已涵盖50、75、100、150、300和600W输出功率。TDK-Lambda...[详细]

从事低电磁干扰(EMI)应用的设计工程师在进行设计时通常面临着两大挑战：即如何在降低设计中电磁干扰的同时，缩小方案的体积。前端无源滤波可减少开关电源产生的传导性EMI，从而确保符合传导性EMI标准，但这种方法可能与增加低EMI设计的功率密度的要求相矛盾，特别是考虑到更高的开关速度对整体EMI信号的不利影响。这些无源滤波器往往体积庞大，可占电源方案总体积的30%。因此，在提高功率密度的同时，有效缩...[详细]

PowerIntegrations推出新款HiperPFS-4功率因数校正IC，可提供98％的满载效率集成了Qspeed升压二极管，可实现极简单的有源PFC解决方案；面向PC和电视机电源应用美国加利福尼亚州圣何塞，2021年4月13日讯–深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司PowerIntegrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出内含Qspeed™低...[详细]

LED芯片是LED产品的关键组成部分。过去两年，LED芯片行业由于产能过剩、普通照明用LED芯片价格持续下跌而陷入低潮。而新一代显示技术Mini/MicroLED和第三代（化合物）半导体，正在开启LED芯片行业新一轮的成长曲线。这些新兴高毛利领域凭借着高技术门槛带来的高毛利也吸引了众多LED企业争相布局。LED芯片行业表现出较为明显的周期性，通常4年左右为一个周期长度，行业景气度受...[详细]