1. 特性描述
TM0726集成了一个700V的功率MOSFET、振荡器、高压开关电流源、电流限流及热关断电路。采用开
/关控制方式，提供一个灵活的设计方案，并且实现更½的系统成本。本产品非常适合应用在手机或无
绳电话、PDA、数码相机、MP3或便携式音频设备、剃须刀等½用的充电器及适配器，DVD/PVR及其它½
功率机顶盒、PC待机及其他辅助电源、电器、工业系统、电表等供电电源。本产品性½优良，质量可靠。
产品
TM0726
2. 功½特点
输出功率表
230 VAC±15%
适配器
峰值或开放式
适配器
85-265 VAC
峰值或开放式
6W
7W
5W
6.5W
简单的开/关控制，无需环路补偿
严格的I
2
f参数公差范围降½系统成本
- 高效利用MOSFET及磁芯材料的功率输出½力
- 降½了最大过½½功率，从而降½变压器、初级箝 ½及次级元件的成本
导通时间延长-更½输入电压下维持输出的稳定/维持时间,可以½用更½容量的输入电解电容
自偏½：无需偏½绕组或偏½元件
频率抖动降½EMI滤波成本
引脚布局简化了PCB板上的散热铺铜的设计
源极引脚为“电气”上的安静点, 从而降½了EMI
精确的迟滞热关断保护并具备自动恢复功½，无需人工重新½½
改善的自动重启动功½在短路及开环故障状况下实现<3%的最大输出功率
可选择½用Zener实现输出过压关断
可选择½用一个电阻来设½输入欠压保护阈值
元件数目很少，增强可靠性及实现单面印刷电路板的布局
高带½提供快速的无过冲启动及出色的瞬态负½½响应
在265VAC输入时，无偏½绕组下的空½½½耗<150mW；有偏½绕组时空½½½耗<50mW
开/关控制可在极½负½½时具备恒定的效率-是达到强制性CEC标准及1W待机要求的理想选择
封装½式：DIP8
3. 内部结构框图
EN/UV
BP/M
DRAIN
ENABLE & UN-
DERVOLTAGE
AUTORESTAT
COUNTER
REGULATOR
JITTER
OSCILATOR
CURRENT LIMIT
STATE MACHINE
CURRENT LIMIT
COMPARATOR
THERMAL
SHOTDOWN
LEADING EDGE
BLANKING
SOURES
管脚排列
EN/UV
BP/M
NC
D
1
2
3
4
8
7
Top View
6
5
S
S
S
S
4. 管脚功½
引脚名
称
EN/UV
BP/M
NC
D
S
引脚序号
1
2
3
4
5、6、7、8
I/O
I
I
--
O
--
功½说明
具备两项功½：输入½½信号和输入线电压欠压检测。
1. 限流点设定功½。
2. 输入掉电关断功½。
3. 一个外部电容连接到此引脚，用于生成内部6V的供电电源。
空脚
内部功率MOSFET的漏极。
内部功率MOSFET的源极。
集成电路系静电敏感器件，在干燥季节或者干燥环境½用容易产生大量静电，静电放电可
½会损坏集成电路，天微电子建议采取一切适½的集成电路预防处理措½，不正½的操½
焊接，可½会造成 ESD 损坏或者性½下降，芯片无法正常工½。
5.工½条件
5.1 极限工½条件
(1,2)
参数名称
漏极电流
峰值漏极电流
EN/UV 电压
EN/UV 电流
BP/M 电压
贮存温度
工½结温度
引脚温度
热阻抗
参数符号
Tj
φJA
φJC
（1）所有电压½是以 TA = 25 °C 时的源极为参考点。
（2）在短时间内½加器件允许的最大额定值不会引起产品永久性的损坏。½长时间用在器件允许的最大额定值时，会
对产品的可靠性造成½响。
极限值
-0.3 to 700
400 (750)
-0.3 to 9
100
-0.3 to 9
-65 to 150
-40 to 150
260
(7)
70° ；60
11
单
½
V
mA
V
mA
V
°C
°C
°C
°C/W
°C/W
6. 电气特性
源极 = 0 V; TJ = -40 to 125 °C,除非另有说明
参数名称
参数符号
测试条件
控制功½:
平均
标准模式下的
fosc
TJ=25°C
输出频率
抖动
最大占空比
DC
MAX
TJ=25°C
EN/UV引脚最大
I
DIS
TJ=25°C
关断阈值电流
I
EN/UV
=25μA
EN/UV引脚电压
I
EN
I
EN/UV
=-25μA
EN/UV Current>IDIS(MOSFET Not
I
S1
Switching)
漏极供电电流
I
S2
EN/UV Open(MOSFET Switching at f
osc
)
I
CH1
V
BP/M
=0V, T
J
=25°C
BP/M引脚充电
电流
I
CH2
V
BP/M
=4V, T
J
=25°C
BP/M引脚电压
V
BP/M
BP/M引脚电压
V
BP/MH
迟滞
BP/M引脚
V
SHUNT
IBP=2mA
分流电压
EN/UV引脚
I
LUV
TJ=25°C
欠压阈值
保护电路:
标准电流限流点
(BP/M
I
LIMIT
di/dt=50mA/μs TJ=25°C
电容 = 0.1µF )
降½的电流限流
点 (BP/M
I
LIMITred
di/dt=50mA/μs TJ=25°C
电容 = 1µF)
提高的电流限流
点 (BP/M
I
LIMITinc
di/dt=50mA/μs TJ=25°C
电容 = 10µF )
2
Standard Current Limit, I f=
2
I
LIMIT(TYP)
Xf
OSC(TYP)
2
Reduced Current Limit, I f=
2
功率系数
If
2
I
LIMITred(TYP)
Xf
OSC(TYP)
2
Increased Current Limit, I f=
2
I
LIMITinc(TYP)
Xf
OSC(TYP)
初始电流限流点
I
INIT
TJ=25°C
最小值
124
62
-150
1.8
0.8
TM0726
典型值
132
8
65
-115
2.2
1.2
290
-6
-4.1
5.75
0.80
6.0
22.5
275
-3.8
-2.3
6
0.95
6.4
25
360
-1.8
-1
6.3
1.20
6.8
27.5
最大值
140
单½
kHZ
%
-90
2.6
1.6
μA
V
μA
μA
mA
V
V
V
μA
233
250
267
mA
196
210
233
mA
196
0.9×
0.9×
0.9×
0.75×
I
LIMIT(MIN)
210
If
If
If
2
2
2
233
1.12×
1.16×
1.16×
mA
A Hz
2
mA
前沿消隐时间
电流限流延迟
热关断温度
热关断迟滞
BP/M引脚
关断阈值电流
BP/M引脚 通电重
½
阈值电压
输出:
导通电阻
关断状态漏极
漏电流
击穿电压
漏极供电电压
fosc时的自动重
启动导通时间
自动重启动
占空比
t
LEB
t
ILD
T
SD
T
SDH
I
SD
V
BP/M(RESET)
TJ=25°C
TJ=25°C
175
135
4
1.6
215
150
142
75
6.5
2.6
150
9
3.6
ns
ns
°C
°C
mA
V
R
DS(ON)
I
DSS1
I
DSS2
BV
DSS
t
AR
DC
AR
I
D
=25mA
TJ=25°C
TJ=100°C
28
42
15
700
50
64
3
32
48
50
Ω
μA
V
V
ms
%
V
BP/M
=6.2V,V
EN/UV
=0V,V
DS
=560V,TJ=125°C
V
BP/M
=6.2V,V
EN/UV
=0V,V
DS
=375V,TJ=50°C
V
BP
=6.2V,V
EN/UV
=0V,TJ=25°C
TJ=25°C
TJ=25°C
7. 功½说明
TM0726在一个器件上集成了一个高压功率MOSFET开关及一个电源控制器。与通常的PWM(脉½调制)
控制器不同，它½用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。这个控制器包括了一个振荡器、½½电路
（感测及逻辑）、流限状态调节器、6V稳压器、旁路/多功½引脚欠压及过压电路、电流限流选择电路、
过热保护、
电流限流电路，
前沿消隐电路及一个700V的功率MOSFET管。
此外，
TM0726还增加了欠压检测、
自动重启动、自动调整的开关周期导通时间延长及频率抖动功½。图2显示了具备以上重要特性的功½
结构图。
图：频率抖动
振荡器
典型的振荡器平均频率设½在132kHz的水平。振荡器可生成两个信号：最大占空比信号(DCMAX)及
显示每个周期开始的时钟信号。
振荡器电路可导入少量的频率抖动，
通常为8kHz峰峰值用来降½EMI。
频率抖动的调制速率设½在1
kHz的水平，目的是降½平均及准峰值的EMI，并给予优化。测量频率抖动时应把示波器触发设定在漏极
电压波½的下降沿来测量。图4的波½显示了频率抖动状态。
输入½½和流限状态调节器
EN/UV引脚的输入½½电路包括了一个输出设½在1.2V的½阻抗源极跟随器。流经此源极跟随器的
电流被限定为115µA。½流出此引脚的电流超过了阈值电流，在此½½电路的输出端会产生一个½逻辑
电平（禁止），直到流出此引脚的电流½于阈值电流。在每个周期起始时, 对应时钟信号的上升沿对这
一½½电路输出进行采样。如果高，功率MOSFET会在那个周期导通（启用），否则功率MOSFET将仍处于
关闭状态（禁止）。由于取样仅在每个周期的开始时进行，此周期中随后产生的EN/UV引脚电压或电流
的变化对MOSFET状态½不构成½响。
在½½½状态下，
½TM0726开关频率有可½进入音频范围内时，
流限状态调节器以非连续方式降½流
限。较½的电流限流值½开关频率保持在音频范围之上，降½变压器的磁通密度从而减½了音频噪音。
状态调节器监测½½的开关序列以确定负½½情况，并以非连续方式相应地调节流限。
在大多数工½条件下（除接近空½½时），在开关周期被禁止时½阻抗源极跟随器会保持EN/UV引脚
不会过多½于1.2V，这改善了连接到此引脚的光耦器的响应时间。
6V稳压器及6.4V分流电压箝½
在MOSFET处在关闭期间，6 V稳压器就会从漏极电压吸收电流，将连接到旁路引脚的旁路电容充电
到6V。旁路/多功½引脚是内部供电电压节点。½MOSFET导通时，器件利用储存在旁路电容内的½量工
½。内部电路极½的功率耗散½TM0726可½用从漏极吸收的电流持续工½。一个1µF的旁路电容就足够
实现高频去耦及½量存储。
此外，
½有电流从外部提供给旁路/多功½引脚时，
一个6.4V的分流稳压箝½电路会将旁路/多功½
引脚电压箝在6.4 V。利用偏½绕组经过外部电阻向TM0726供电，可以将空½½½耗降½到50mW以下。
旁路/多功½引脚欠压
在稳态工½下，
½旁路/多功½引脚电压下降到4.9V以下时，
旁路/多功½引脚欠压电路将关断功率
MOSFET。在稳态工½下一旦旁路/多功½引脚电压下降到4.9V之下，它必须再上升回6 V才可重新开启功
率MOSFET。
过热保护
热关断电路检测结的温度。阈值设½在142°C并具备75°C的迟滞范围。½结温度超过这个阈值，
功率MOSFET关闭，直到结温度下降75°C，MOSFET才会重新开启。采用75°C(典型)的迟滞可防止因持续
故障而½PCB板出现过热现象。
电流限流
电流限流电路检测功率MOSFET的电流。
½电流超过内部阈值(ILIMIT)时，
在该周期剩½阶段会关断
功率MOSFET。电流限流状态调节器在中½度负½½条件下以非连续方式降½电流限流阈值。
在功率MOSFET开启后，
前沿消隐电路会将电流限流比较器抑制片刻(tLEB)。
通过设½前沿消隐时间，
可以防止由电容及次级整流管反向恢复时间产生的电流尖峰引起开关脉冲的提前误关断。
自动重启动
一旦出现故障，
例如在输出过½½、
输出短路或开环情况下，
TM0726进入自动重启动操½。
每½EN/UV
引脚电压拉½时，一个由振荡器记时的内部记数器会重新½½。如果64 ms内EN/UV引脚未被拉½，功率
MOSFET开关通常被禁止2.5秒(除欠压状态下，因MOSFET在欠压时已被关断)。自动重启动电路对功率
MOSFET进行交替½½和关闭，直到故障排除为止。图5显示了输出短路时自动重启动电路的工½情况。
在欠压状态下，功率MOSFET开关的禁止时间超过了通常的2.5秒，直到欠压状态结束为止。
图.自动重启动操½
微控制器 MCU
京公网安备 11010802033920号
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