SFL850
准谐振控制、Boost-PFC/Buck
Combo
TM
(升压 PFC/降压恒流)组合控制器
特点
◆
◆
◆
◆
◆
8 PIN
方案，高集成、高性½、外围器件极少
“Boost-PFC/Buck
Combo
TM
概述
SFL850
采用“Boost-PFC/Buck
Combo
TM
”
”组合控制
组合控制架构，集成升压
PFC
和降压恒流控制
器，适用于非隔离
LED
照明场合。该芯片为
8pin
方案，高集成，外围器件极少。该芯片可以实现
5%以内的恒流精度，高 PF
值，½
THD，同时½
½底消除单级
BUCK-PFC
的频闪缺陷。
SFL850
的
PFC
级无需检测输入整流正弦波，即
可 实 现
PFC
功 ½ 。 该 芯 片 内 ½ 专 利 的
“NC-Aux/PFC
电感。
SFL850 PFC
级还内½专利的
“Min-THD ”
技术
实现
THD<15%。同时内½½驱动技术，相对于
准谐振控制模式而言，系统
EMI
性½大大改善。
SFL850
的
Buck
级采用准谐振控制，带来高效
率，同时无需外部电感感量补偿，实现高精度恒
流。
SFL850
还集成了诸多保护功½，比如：VCC 欠
压保护（UVLO），VCC 过压保护，逐周期过流
保护，GATE 输出电压钳½保护，LED 短路/开路
保护，过温降频等等。
SFL850
提供
SOP8
封装。
TM
TM
内½
1%
精度(@Tj=25 ℃)的恒流参考电压
两级控制，½底消除单级
PFC
的频闪缺陷
PFC
级 内 ½ 专 利 的
“
Min-THD
PF>0.95，THD<15%
TM
”
技术实现
◆
PFC
级无需检测输入整流正弦波
◆
PFC
级逐周期电流限制
TM
◆
PFC
级内½专利的“NC-Aux/PFC
”技术，无
需消磁检测绕组，支持½用单绕组电感
◆
PFC
级内½专利的“快速动态响应”技术，提高
PFC
环路动态响应
”技术，无需消磁检测绕组即
可实现电感电流临界工½模式，支持½用单绕组
◆
Buck
级采用准谐振控制，实现高效率
◆
Buck
级无需外部电感感量补偿，实现高精度恒流
TM
◆
Buck
级内½专利的“NC-Aux/Buck
”技术，
无需消磁检测绕组，支持½用单绕组电感
◆
◆
◆
◆
◆
Buck
级内½专利的过温降频功½，过温无闪烁
LED
开路/短路保护
内½前沿消隐
VDD UVLO（欠电压保护）
VDD
过压保护（OVP）及钳½
应用
◆ 无频闪
LED
照明场合
典型应用图
SFL850
2
PFC_GD
4
COMP
3
PFC_CS
5
GND
VDD
8
BUCK_GD
7
PFC_FB
1
BUCK_CS
6
©SiFirst Technology
-1-
Confidential
SiFirst_DS_850_V1.1
SFL850
管脚封装
SFL850
1
PFC_FB
2
PFC_GD
3
PFC_CS
4
COMP
VDD
8
BUCK_GD
7
BUCK_CS
6
GND
5
订购信息
订购型号
SFL850SG
IC
打印
SFL850SG
SOP8
封装
Green
包装编带
Yes
IC
表面打印信息
SFL850SG
Y WW
YWW:
年&星期 周期代码
管脚描述
管脚号
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚名称
PFC_FB
PFC_GD
PFC_CS
COMP
GND
BUCK_CS
BUCK_GD
VDD
I/O
I
O
I
O
P
I
O
P
描述
PFC
级输出电压反馈脚
PFC
级
Gate
驱动输出脚
PFC
级电流检测脚
PFC
级环路补偿脚
芯片地
Buck
级电流检测脚
Buck
级
Gate
驱动输出脚
芯片电源。
©SiFirst Technology
-2-
Confidential
SiFirst_DS_850_V1.1
SFL850
芯片内部模块图
电感电流过零检测
170uA
EDR
2.4V
2.7V
2.5V
PFC_FB
1
EA
恒定Ton比较器
PFC级输出过压保护
100uS最大
关断时间
½驱动
控制
S
Q
2
PFC_GD
PFC_PWM
ton
Fault
R
Q
前沿消隐
COMP
4
0.8V
3
PFC_CS
PFC
控制部分
BUCK控制部分
过温降频
（150℃）
输出开路/
短路保护
消磁检测
200uS最大
关断时间
½驱动
控制
BUCK_PWM
7
BUCK_GD
S
Q
VDD
8
30V
VDD过压
34V
VDD上电复½
保护逻辑
控制
Fault
R
前沿消隐
过流保护
0.5V
6
BUCK_CS
9V/10V
5
GND
极限参数
(注释 3)
参数
芯片电源电压
芯片
VDD
钳½电流
PFC_GD,BUCK_GD
管脚电压工½范围
PFC_FB, PFC_CS ,COMP,BUCK_CS
管脚电压工½范围
封装热阻
(DIP-8)
最高结温
工½温度范围
储存温度范围
ESD
人½模型
ESD
机器模型
参数范围
34
10
-0.3 to 34
-0.3 to 7
84
150
-40 to 85
-65 to 150
3
250
单½
V
mA
V
V
o
C/W
o
C
o
C
o
C
kV
V
推荐工½条件
(注释 4)
参数
VDD
工½范围
环境工½温度范围
参数范围
14 to 28
-40 to 85
单½
o
V
C
©SiFirst Technology
-3-
Confidential
SiFirst_DS_850_V1.1
SFL850
电气参数
(无特别说明情况下 T
A
= 25 C, VDD=16V)
O
符号
参数
芯片电源部分
(VDD
管脚)
I_Startup
I_VDD
UVLO(OFF)
UVLO(ON)
VDD_OVP
VDD_Clamp
VDD
启动电流
芯片工½电流
UVLO
关断电压
UVLO
开启电压
VDD
过压保护阈值
VDD
钳½电压
测试条件
VDD =9V,
测试流过
VDD
的电流
V
PFCFB
=2.3V, VDD=20V
VDD
上升
VDD
下降
I(VDD ) = 10 mA
最小
典型
30
1.3
10
9
30
34
最大
70
5
10.5
9.5
32
36
单½
uA
mA
V
V
V
V
9.5
8.5
28
32
PFC
部分
PFC
级误差放大器（EA）部分
V
REF
GM
DC
GAIN
VFB
OVP
VFB
OLP
VFB
EDR
VFB
OK
Isink_max
Isource_max
T_blanking
Vth_OC_PFC
T
D
_OC
Duty_max
Ton_max
Toff_max
EA
参考电压
EA
跨导
EA
直流增益
PFC
级输出过压保护阈
值电压
FB
开路保护阈值电压
快速动态效应触发电压
PFC
输出
OK
检测阈值电
压
COMP
端最大灌电流
COMP
端最大源电流
前沿消隐时间
逐周期电流限制的阈值
芯片关断延迟
PFC
级最大占空比
PFC
级最大开启时间
PFC
级最大关断时间
-40~85℃
2.45
2.5
40
100
2.7
0.5
2.4
2.25
30
-30
500
0.8
100
97
50
100
2.55
V
uS
dB
V
V
V
V
uA
uA
nSec
V
nSec
%
uSec
uSec
-40~85℃
2.64
2.76
VFB
下降
VFB
上升
VFB=2.4V
VFB=2.6V
PFC
级电流检测部分
(PFC_CS
管脚)
PFC
级
Timmer
部分(注释
5)
BUCK
部分
BUCK
级电流检测部分
(BUCK_CS
管脚)
Vth_OC
T_blanking
T
D
_OC
Toff_max
Tdem_OVP
电流检测阈值电压
前沿消隐时间
芯片关断延迟
490
500
500
100
200
5.6
510
mV
nSec
nSec
uSec
uSec
V
V
nSec
nSec
BUCK
级
Timmer
部分
最大关断时间
输出
OVP
消磁时间
Gate
驱动部分(
注释
5)
VOL
输出½电压
VOH
输出高电压
VG_clamp
输出钳½电压
T_r
输出上升沿
T_f
输出下降沿
5.1
灌入
20mA
电流
½出
20mA
电流
VDD=24V
PFC_GD/BUCK_GD
接
1nF
电容
PFC_GD/BUCK_GD
接
1nF
电容
6.3
1
7.5
16
150
60
过温降频
OTP
过温降频温度阈值
150
℃
注释3. 最大极限值是指超出该工½范围，芯片有可½损坏。推荐工½范围是指在该范围内，器件功½正常，½并
©SiFirst Technology
-4-
Confidential
SiFirst_DS_850_V1.1
SFL850
不完全保证满足个别性½指标。电气参数定义了器件在工½范围内并且在保证特定性½指标的测试条件下的直流
和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，½其典型值合理反映了器件性½。
注释4. 芯片不½保证在此范围外½够正常工½。
注释5. 这些参数设计保证，½不是100%经过测试。
©SiFirst Technology
-5-
Confidential
SiFirst_DS_850_V1.1
能源基础设施
京公网安备 11010802033920号
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