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PPT89T30V5AE2M

产品描述额定功率:3W 集电极电流Ic:5A 集射极击穿电压Vce:20V 晶体管类型:PNP PNP
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小124KB,共5页
制造商上海芯导(Prisemi)
官网地址http://www.prisemi.com/

上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。

芯导电子积极致力于半导体功率器件、高端集成电路芯片的技术攻关。公司连续多年科研投入增长超过70%,并建立了国内一流的实验室,承担多项上海及国家级科研项目。

为您提供卓越的产品、卓越的品质、卓越的服务是芯导电子的不变追求。多年来,芯导电子一直秉承以用户需求为核心,在专注国内市场开拓的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销美国、日本、韩国、东南亚等国家与地区。芯导电子以高质量的产品、一流的服务赢得了众多客户的信赖和好评,树立起公司良好的品牌形象。

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PPT89T30V5AE2M概述

额定功率:3W 集电极电流Ic:5A 集射极击穿电压Vce:20V 晶体管类型:PNP PNP

PPT89T30V5AE2M规格参数

参数名称属性值
额定功率3W
集电极电流Ic5A
集射极击穿电压Vce20V
晶体管类型PNP

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PPT89T30V5AE2M
Transistor
Feature
2 - Collector
1 - Base
This device is Pb-Free and RoHS compliant.
PNP epitaxial planar silicon transistor
3 - Emitter
Mechanical Characteristics
Lead finish:100% matte Sn(Tin)
Mounting position: Any
Qualified max reflow temperature:260℃
Device meets MSL 1 requirements
Pure tin plating: 7 ~ 17 um
Pin flatness:≤3mil
Absolute maximum rating@25℃
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter -Base Breakdown Voltage
Collector Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector power dissipation
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
C
I
C
(Pulse)
V
CE(sat)
P
C
Value
-20
-30
-6
-5
-10
-1
3
Units
V
V
V
A
A
V
W
Rev.06
1
www.prisemi.com
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