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PSBD1DF20V3H

产品描述20V,3A,VF=0.5V@1A
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小573KB,共5页
制造商上海芯导(Prisemi)
官网地址http://www.prisemi.com/

上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。

芯导电子积极致力于半导体功率器件、高端集成电路芯片的技术攻关。公司连续多年科研投入增长超过70%,并建立了国内一流的实验室,承担多项上海及国家级科研项目。

为您提供卓越的产品、卓越的品质、卓越的服务是芯导电子的不变追求。多年来,芯导电子一直秉承以用户需求为核心,在专注国内市场开拓的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销美国、日本、韩国、东南亚等国家与地区。芯导电子以高质量的产品、一流的服务赢得了众多客户的信赖和好评,树立起公司良好的品牌形象。

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PSBD1DF20V3H概述

20V,3A,VF=0.5V@1A

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PSBD1DF20V3H THRW PSBD1DF200V3H
Switching Diode
Description
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Rectifiers
Reverse Voltage 20 to 200 V
Forward Current 3.0 A
1
2
SOD123-FL
Maximum Ratings and Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwise specified)
Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at Ta = 65
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single
Half
Sine Wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at
1A
Maximum DC Reverse Current Ta = 25
at Rated DC Blocking Voltage Ta =125
Typical Junction Capacitance
1
Typical Thermal Resistance
2
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
20V3H
20
14
20
40V3H
40
28
40
60V3H
60
42
60
80V3H
80
56
80
100V3H
100
80
100
120V3H
120
100
120
150V3H
150
105
150
200V3H
200
140
200
Units
V
V
V
I
F(AV)
3.0
A
I
FSM
80
70
A
V
F
0.55
0.5
10
250
0.70
0.85
0.3
5
160
115
-55~+150
0.95
V
I
R
mA
C
j
R
θJA
T
j
,T
stg
pF
℃/W
Operating and Storage Temperature Range
1)Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C
2)Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
Rev.06.2
1
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