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PSBD551V-40

产品描述Schottky Barrier Diode
产品类别分立半导体   
文件大小108KB,共5页
制造商上海芯导(Prisemi)
官网地址http://www.prisemi.com/

上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。

芯导电子积极致力于半导体功率器件、高端集成电路芯片的技术攻关。公司连续多年科研投入增长超过70%,并建立了国内一流的实验室,承担多项上海及国家级科研项目。

为您提供卓越的产品、卓越的品质、卓越的服务是芯导电子的不变追求。多年来,芯导电子一直秉承以用户需求为核心,在专注国内市场开拓的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销美国、日本、韩国、东南亚等国家与地区。芯导电子以高质量的产品、一流的服务赢得了众多客户的信赖和好评,树立起公司良好的品牌形象。

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PSBD551V-40概述

Schottky Barrier Diode

参数指标

•VRM (V):40


•IO (A):0.5


•VF(V):0.47


•IR(uA):100


•Package:SOD-323

PSBD551V-40规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)40V
平均整流电流(Io)500mA
正向压降(Vf)470mV @ 500mA

PSBD551V-40文档预览

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PSBD551V-40
Schottky Barrier diode
Feature
Ultra Small mold type. (SOD-323)
Low I
R
High reliability.
Applications
Low current rectification
Construction
Silicon epitaxial planar
Mechanical Characteristics
Lead finish:100% matte Sn(Tin)
Mounting position: Any
Qualified max reflow temperature:260℃
Device meets MSL 1 requirements
Pure tin plating: 7 ~ 17 um
Pin flatness:≤3mil
Electrical characteristics per line@25℃
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.47
100
Unit
V
µA
Conditions
I
F
=500mA
V
R
=20V
Absolute maximum rating@25℃
Parameter
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz 1cyc)
Operating Junction temperature Range
Storage temperature
Symbol
V
RM
I
o
I
FSM
T
j
T
stg
limits
40
500
2
-55 to 125
-40 to +125
Unit
V
mA
A
Rev.06
1
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