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PNM523T201E0

产品描述N沟道 MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小154KB,共6页
制造商上海芯导(Prisemi)
官网地址http://www.prisemi.com/

上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。

芯导电子积极致力于半导体功率器件、高端集成电路芯片的技术攻关。公司连续多年科研投入增长超过70%,并建立了国内一流的实验室,承担多项上海及国家级科研项目。

为您提供卓越的产品、卓越的品质、卓越的服务是芯导电子的不变追求。多年来,芯导电子一直秉承以用户需求为核心,在专注国内市场开拓的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销美国、日本、韩国、东南亚等国家与地区。芯导电子以高质量的产品、一流的服务赢得了众多客户的信赖和好评,树立起公司良好的品牌形象。

下载文档 详细参数 全文预览

PNM523T201E0概述

N沟道 MOSFET

参数指标

•Configuration:Single-N


•VDS(V):20V


•VGS(V):12V


•ID(A):0.3A


•RDS@VGS=10V(mΩ):--


•RDS@VGS=4.5V(mΩ):500 mΩ


•RDS@VGS=2.5V(mΩ):700 mΩ


•VGS(th)(V)min:0.5V


•VGS(th)(V)typ:0.8V


•VGS(th)(V)max :1.1V


•Package:SOT-523

PNM523T201E0规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)±1A(Tj=150°C)
栅源极阈值电压1.1V @ 1mA
漏源导通电阻250mΩ @ 650 mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)140mW
类型N沟道
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