电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PESDNC2FD12VB

产品描述极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):4A 箝位电压:27V 击穿电压(最小值):14V 反向关断电压(典型值):12V 12V,双向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电)
产品类别分立半导体    ESD二极管   
文件大小174KB,共6页
制造商上海芯导(Prisemi)
官网地址http://www.prisemi.com/

上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。

芯导电子积极致力于半导体功率器件、高端集成电路芯片的技术攻关。公司连续多年科研投入增长超过70%,并建立了国内一流的实验室,承担多项上海及国家级科研项目。

为您提供卓越的产品、卓越的品质、卓越的服务是芯导电子的不变追求。多年来,芯导电子一直秉承以用户需求为核心,在专注国内市场开拓的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销美国、日本、韩国、东南亚等国家与地区。芯导电子以高质量的产品、一流的服务赢得了众多客户的信赖和好评,树立起公司良好的品牌形象。

下载文档 详细参数 全文预览

PESDNC2FD12VB概述

极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):4A 箝位电压:27V 击穿电压(最小值):14V 反向关断电压(典型值):12V 12V,双向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电)

PESDNC2FD12VB规格参数

参数名称属性值
极性Bidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)4A
箝位电压27V
击穿电压(最小值)14V
反向关断电压(典型值)12V

PESDNC2FD12VB文档预览

下载PDF文档
PESDNC2FD12VB
ESD Protector
Description
The PESDNC2FD12VB protects sensitive semiconductor components from
damage or upset due to electrostatic discharge (ESD) and other voltage induced
transient events. They feature large cross-sectional area junctions for conducting
high transient currents, offer desirable electrical characteristics for board level
protection, such as fast response time, low operating voltage. It gives designer
the flexibility to protect one bi-directional line in applications where arrays are not
practical.
Feature
90W peak pulse power per line (t
P
= 8/20μs)
DFN1006-2L package
Replacement for MLV(0402)
Bidirectional configurations
Response time is typically < 1ns
Low clamping voltage
RoHS compliant
Transient protection for data lines to
IEC61000-4-2(ESD) ±
30KV(air), ±
30KV(contact);
IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
Applications
Cellular phones
Portable devices
Digital cameras
Power supplies
Mechanical Characteristics
Lead finish:100% matte Sn(Tin)
Mounting position: Any
Qualified max reflow temperature:260℃
Pure tin plating: 7 ~ 17 um
Pin flatness:≤3mil
Electronics Parameter
Symbol
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
PP
V
C
P
PP
C
J
I
F
V
F
Parameter
Peak Reverse Working Voltage
Reverse Leakage Current @ V
RWM
Breakdown Voltage @ I
T
Test Current
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I
PP
Peak Pulse Power
Junction Capacitance
Forward Current
Forward Voltage @ I
F
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
T
I
R
I
R
I
T
I
PP
I
V
V
RWM
V
BR
V
C
Rev.06.3
1
www.prisemi.com
嵌入式之路该怎么走?
我是自动化专业的,九月份就大三了。大二期间学过C语言和51单片机,自我感觉理论知识还学得不错,编程上可能实践少了点。在我哥的建议下我正在学AVR单片机,感觉和51单片机差不多,只是资源多一 ......
zlwei 工作这点儿事
马云背后的神秘男人:身份太敏感员工不敢谈
阿里巴巴一路走来,好几度经营面临风雨飘摇,岌岌可危,都是靠蔡崇信高超的筹资能力,枱面上下运筹帷幄,协助度过难关,才有今天的阿里巴巴。就这样,蔡崇信卷起袖子,把名牌西服收进衣柜,踏入 ......
Wince.Android 聊聊、笑笑、闹闹
关于STM32ADC用DMA采多通道时数据错位的问题
STM32的ADC施加干扰时应该是ADC的配置参数丢失了,所以数据会放错误,而一旦错误就一直错下去(即使干扰消失),除非重新上电复位,重新初始化ADC,现在我只能在每个周波20ms重新初始化ADC,这样 ......
千面魔军 stm32/stm8
大神们给分析下这个电路
当Ult_ENA 端电压为高是,就会产生升压。电路看不太懂。。。 ...
15013879084 单片机
晒晒E金币兑换的移动硬盘
280092这个移动硬盘前一个多星期就收到了,晒晚了。我的第一个移动硬盘就是纽曼的,用了很多年,所以非常信任纽曼的移动硬盘。这次换的移动硬盘是320G的,够我用的了:pleased: ...
JUNIC 聊聊、笑笑、闹闹
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved