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MMBT2222A

产品描述晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:40V 额定功率:350mW NPN 40V 600mA
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小441KB,共4页
制造商平晶微(PJ)
公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生产和测试设备,持续为客户提供优品质、高可靠性产品。
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MMBT2222A概述

晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:40V 额定功率:350mW NPN 40V 600mA

MMBT2222A规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce40V
额定功率350mW

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NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Features
For switching and amplifier applications
SOT-23
MMBT2222/MMBT2222A
3
1
1.B
2
2.E
3.C
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25℃ )
Parameter
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
J
T
STGg
Symbol
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
h
FE
h
FE
I
CBO
Value
60
75
30
40
5
6
600
350
150
- 55 to + 150
Min.
35
50
75
50
100
30
40
-
-
-
60
75
Max.
-
-
-
-
300
-
-
10
10
100
-
-
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
-
-
-
-
-
-
-
nA
Characteristics
(Ta=25℃ )
Parameter
DC Current Gain
at V
CE
= 10 V, I
C
= 0.1 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
at V
CE
= 1 V, I
C
= 150 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
Collector Base Cutoff Current
at V
CB
= 50 V
at V
CB
= 60 V
Emitter Base Cutoff Current
at V
EB
= 3 V
Collector Base Breakdown Voltage
at I
C
= 10 µA
www.pingjingsemi.com
Revision:1.0 Oct-2017
I
EBO
nA
MMBT2222
MMBT2222A
V
(BR)CBO
V
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