产品规格说明书
版本
1.0
TMR1202
超½功耗双极锁存型磁开关传感器
产品概述
TMR1202是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、½功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。
TMR1202采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、½密特触发器和CMOS输出电路，½将变化的磁场信
号½化为数字电压信号输出。TMR1202通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许½的工½电压范围。TMR1202以½电压
工½、1微安级的供电电流、高响应频率、½的工½温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多½功耗、高性½应用的理想选择。
TMR1202采用两种封装½式：SOT23-3封装½式和TO-92S，所对应的产品型号分别为TMR1202S和TMR1202T。
产品特性
隧道磁电阻（TMR）技术
超½功耗（1.5μA）
1kHz
高频率响应
双极锁存型开关
高灵敏度，½开关点
½工½电压范围
卓越的温度稳定性
优越的抗外磁场性½
典型应用
计量仪表（水表、气表、热量表）
固态开关
速度检测
线性及旋½½½检测
TMR1202S(左)，TMR1202T(右)
功½框图
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版本
1.0
管脚定义
管脚名
V
OUT
GND
TO-92S
SOT23-3
V
CC
序号
TO-92S
1
2
3
SOT23-3
2
3
1
功½
输出
地
电源
极限参数
参数
工½电压
反向供电电压
输出电流
外加磁场
ESD
性½(HBM)
½用温度
储存温度
符号
V
CC
V
RCC
I
OUTSINK
B
V
ESD
T
A
T
stg
最大额定值
7
0.3
9
2800
2
-40½125
-50½150
单½
V
V
mA
G
kV
℃
℃
性½参数(T
A
=25℃)
参数
工½电压
输出高电压
输出½电压
工½电流
响应频率
符号
V
CC
V
OH
V
OL
I
CC
F
输出开路
1.5
1000
条件
正常工½
最小值
1.8
Vcc-0.3
典型值
3.0
最大值
5.5
Vcc
0.2
单½
V
V
V
μA
Hz
注：在以上测试中，电源和地之间需连接一个
0.1μF
的电容。
磁特性(V
CC
=3.0V,T
A
=25℃)
参数
工½点
释放点
回差
符号
B
OP
B
RP
B
H
最小值
典型值
17
-17
34
最大值
单½
G
G
G
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1.0
电压和温度特性
输出和磁场关系
参数
南极磁场(S)
北极磁场(N)
注：上电时如工½磁场为零，输出信号为高电平。
测试条件
B > B
OP
B < B
RP
输出信号
½电平（开）
高电平（关）
磁场感应方向
磁场强度
应用指南
TMR传感器敏感方向的磁场强度超过工½点门限BOP时，
TMR1202输出½电平。
½TMR传感器敏感方向的磁场强度½于
释放点BRP时，TMR1202输出高电平。工½点BOP和释放点
BRP的差值就是传感器的回差BH。
为了降½外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波
电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1µF。
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版本
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封装尺寸
SOT23-3
封装图
TO-92S
封装图
TMR
传感器½½
顶视图和侧视图（单½：毫米）
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