MT7833A
Maximizing IC Performance
高功率因数降压型
LED
驱动芯片
特性
有源功率因数校正 (功率因数>0.9)
高精度的LED输出电流
(+/-3%)
优异的线性调整度和负½½调整度
(+/-2%)
准谐振工½模式
多重保护机制
½启动功½
支持单绕组电感供电
SOP8
封装
描述
MT7833A
是一款高功率因数、非隔离 LED 驱动芯
片。 它通过采用浮地、高端检测,降压式开关电
源的架构实现了全周期检测,
具有优异的 c 线性调
整度与负½½调整度。
MT7833A
工½在准谐振模式,
同时½效率和抗电磁干扰的性½½得到提升。
MT7833A
内部集成了多重的保护功½,比如过压
保护、过流保护、过温保护等等,提高了可靠性,
并且所有保护均具½自恢复功½。
内½
550V
高压
开关,精简了外围电路。
利用美芯晟特有的技术,MT7833A 的驱动½力与
芯片供给电压无关,
这可以大大提高系统的抗电磁
干扰性½。
应用
E27/PAR30/PAR38/GU10
灯具
T8/T10
LED灯管
其他LED驱动应用
典型应用电路
Vin_ac
BRG
C1
R1
MT7833A
3
7
VDD
NC
Drain
Drain
D2
R5
5
6
R3
4
1
COMP
CS
2
DSEN GND
8
R2
R4
C2
C3
L1
VLED+
D1
C4
R6
VLED-
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高功率因数降压型
LED
驱动芯片
-0.3V
到
VDD
钳½电压
-0.3V
到
550V
-0.3V
到
6V
260°
C
0.8W (SOP8);
-55°
到
150°
C
C
极限参数
VDD
管脚电压
DRAIN
管脚电压
COMP/CS/DSEN
管脚电压
焊接温度 (10 秒)
P
DMAX
(最大功耗)
储存温度
推荐工½条件
工½电压
工½温度(环境)
输出功率
9V
到
24V
-40°
到
105°
C
C
≦13W
@ 90VAC~264VAC
≦18W
@ 176VAC~264VAC
热阻
①
内部芯片到环境
(R
θJA
)
注意:
128°
C/W
①
R
θJA
是根据
JEDEC 51-3
标准,在
25
度环境温度下测试得到的数据。
管脚排列
芯片标记:
MT7833A
YY WW xxxx
生产内部代码
生产周代码
生产年代码
管脚描述
名称
COMP
DSEN
VDD
CS
DRAIN
NC
GND
管脚号
1
2
3
4
5,6
7
8
描述
内部误差放大器的输出管脚。通过一个电容连接到地上以实现频率补偿。
反馈电压。通过电阻分压器连接到LED输出端或者辅助绕组以反映输出电压
电源脚。
电流检测管脚。
内部功率
MOSFET
的漏极。
悬空脚。
地
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LED
驱动芯片
电气参数
(测试条件:除非特别指定,V
DD
=15V, T
A
=25°
C)
符号
V
STP
UVLO
I
STP
V
DD_CLAMP
I
CLAMP
供给电流
I
Q
静态电流
1.0
mA
控制环路 (DSEN 脚)
V
REF-FB
SCP
OVP
LEB1
MinT
反馈环路的参考电压
DSEN
管脚的短路保护阈
值
DSEN
管脚的过压保护阈
值
DSEN
管脚的前端消隐时
间
最小开关周期
闭环测试
196
200
400
3.2
2
10
204
mV
mV
V
uS
uS
参数
启动电压
½压保护
启动电流
VDD
钳½电压
VDD
管脚钳½电流½力
测试条件
VDD
电压从
0V
升压
VDD
电压从(V
STP
+1V)
降压
VDD=16V
最小值
典型值
18
9
25
24
10
最大值
单½
V
V
μA
V
mA
启动
(VDD
管脚)
电流检测 (CS 脚)
OCP
LEB2
热保护
OTP
Hys
-OTP
过温保护
过温保护的迟滞
155
15
°
C
°
C
CS
管脚的过流保护阈值
CS
管脚的前端消隐时间
1.4
300
V
nS
高压功率
MOS
管(DRAIN 脚)
Ron
BV
DSS
内部高压功率管导通阻抗
击穿电压
VGS=10V/I
DS
=1.5A
VGS=0V/I
DS
=250uA
550
3
Ω
V
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LED
驱动芯片
Drain
内部框图
VDD
供给电压
&
VDD电压检测
启动电路
DSEN
反馈检测电路
脉冲½度调制器
驱动级
V
OCP
过流保护
COMP
误差放大器
V
FB
CS
GND
功½描述
MT7833A
内部集成了功率因数校正电路,并且工
½在准谐振模式。输出
LED
电流可以通过检测电
感电流而被精准地调节。
控制回路的建立。一旦
COMP
脚电压达到
1.4V,
整个系统开始正常工½。
V
STP
VDD
UVLO
LoopOK
恒流控制
MT7833A
通过检测电感电流精确地调节
LED
电
流。MT7833A 采用浮地架构,全周期电流检测,
从而实现高精度的恒流输出控制。LED 电流可以
通过以下方式设定:
0V
COMP
1.4V
0V
DRV
I
STP
I
STP
I
Q
I
LED
½
V
FB
R
S
图
.1
、启动时序图
½
VDD
电压下降到
9V
时,系统进入欠压保护状
态,这时
DRV
管脚的
PWM
脉冲被关闭,并且
COMP
脚电压被放电到
0V。图 1
详细描述了启动
过程。
式中
V
FB
(=200mV)是内部参考电压,R
S
是外部的
电流检测电阻
(在第 1
页的应用电路图中,Rs 即
R2)。
启动
在上电启动过程中,
VDD
电容通过启动电阻充电。
½
VDD
电压达到
18V
时,
内部控制电路开始工½。
此时,COMP 脚被预充电,通过这样完成对内部
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反馈检测
在每个开关周期中,PWM 脉冲处于关断状态时,
电感电压通过分压电阻串被反馈到
DSEN
脚,用
½开关逻辑的控制、过压保护和短路保护等。
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DSEN
管脚通过电阻分压½络检测电感电压。
为了
减小噪声干扰,反馈电压的采样窗口被设定在
DRV
管脚脉冲关断后的
2 us
时,如图
2
所示。
高功率因数降压型
LED
驱动芯片
V
OUT _OV
½
3.2
(1
R3
)
;
R4
如果芯片
VDD
是由辅助绕组供电(请参考图
3)
,
LED
电压的过压阈值可以通过下式计算:
DRV
V
OUT _OV
½
3.2
(1
Sampling Point
R3 N
p
)
R4 N
a
其中, 是主级绕组的匝数, 是辅助绕组的匝
Np
Na
数。
通过设计合适的
R3,
电阻比值,
R4
½得系统正常
工½时,DSEN 脚电压½于
2.7V。
DSEN
LEB=2uS
(typ)
图
.2
、反馈电压检测
短路保护
如果
DSEN
脚的电压在
5
到
10mS
内连续小于
400mV,短路保护就会被触发。然后 MT7833A
就
会进入打嗝模式。
打嗝模式
MT7833A
在检测到任½异常状态后,比如过压、
短路等,½会进入到打嗝模式,这时
PWM
脉冲信
号被关闭。因此
VDD
电压被
MT7833A
自身的静
态电流放电,
一直到
VDD
电压½于欠压保护阈值。
然后
MT7833A
进入下一个启动过程。
½异常的状
态消除后,MT7833A 就会在下一个启动过程之后
进入到正常的恒流控制模式,实现自恢复。
打嗝模式½系统在异常状态下保持极½的功耗,
从
而增强了系统的可靠性。
过流保护
在每一个开关周期,CS 脚的电压超过
1.4V,
MT7833A
就会立即关闭功率
MOS
管。这种逐周
期限流模式可以很½的保护相关的功率器件,
比如
功率
MOS
管、电感等。
变压器辅助绕组供电应用
为了减小功耗,MT7833A 可以支持用变压器辅助
绕组供电的应用,如图
3
所示。同时,辅助绕组可
以½
VDD
脚的电压设定和
DSEN
脚的反馈检测更
加精准。
过压保护
MT7833A
内部集成了过压保护功½: ½
DSEN
管脚电压在
1mS
内,3 次出现高于
3.2V
时(请参
考“反馈检测”,MT7833A 进入打嗝模式。LED
)
电压的过压阈值可以通过如下公式计算得到
(请参
考第
1
页中的应用电路图)
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