LTK8002D
2019.2.20修订
LTK8002D 4.2W
高耐压、无干扰式AB类、音频放大器
概述
LTK8002D 是一款高耐压 4.2W、单声道 AB 类音
频功率放大器，工½电压 2.5V-6V,以 BTL 桥连
接的方式，在 6V 电源电压下，可以给 4Ω 负½½
提供 THD 小于 10%、平均为 4.2W 的输出功率。
在关闭模式下，电流典型值小于 1uA
LTK8002D 是为提供大功率、高保真音频输出而
专门设计的，它仅仅需要少量的外围元器件，并
且½工½在½电压条件下（2.5-6V）。LTK8002D
不需要耦合电容，自举电容或者缓冲½络，所以
非常适用于小音量的½功耗的系统。
特性
输入电压范围 2.5V-6V
极少的外围元件
无需耦合电容，自举电容以及缓冲½络
优异的爆破声抑制电路
超½底噪、超½失真
10% THD+N，VDD=5V，4Ω 负½½下提供高达
3W 的输出功率
10% THD+N，VDD=6V，4Ω 负½½下 提供高达
4.2W 的输出功率
短路保护
关断电流 < 1ua
应用
蓝牙音箱、智½音箱
便携游戏机，儿童玩具
拉杆音箱、扩音器、MP3、
各类音频产品
封装
芯片型号
LTK8002D
封装类型
SOP-8
封装尺寸
典型应用图
Rf
单端输入
Cin
Rin
IN-
4
3
5
OV1
OV2
IN+
8
BYPASS 2
C1
1uF
SD状态
0-0.9V
1.3V-VDD
芯片状态
打开模式
关闭模式
6
VDD
2.5-6V
LTK8002D
7
GND
C2
1uF
SD
1
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LTK8002D
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管脚说明及定义
管脚编号
SD
BYPASS
IN+
1
8
OV2
GND
VDD
2
3
XXXX
7
6
IN-
4
5
OV1
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚名称
SD
BYPASS
IN+
IN-
VO1
VDD
GND
VO2
I/O
I
-
I
I
O
P
GND
O
功½说明
关断控制。高关断，½打开
内部共模参考电压
模拟正向输入端
模拟反向输入端
BTL 正向输出端
电源正端
电源负端
BTL 反向输出端
最大极限值
参数名称
供电电压
存储温度
结温度
符号
V
DD
T
STG
T
J
数值
6V
-60℃-150℃
160℃
单½
V
℃
℃
推荐工½范围
参数名称
供电电压
存储温度
结温度
符号
V
DD
T
STG
T
J
数值
3V-6V
-50℃-150℃
-50℃-160℃
单½
V
℃
℃
LTK8002D
ESD 信息
参数名称
人½静电
机器模型静电
符号
HBM
CDM
数值
±2000
±300
单½
V
℃
基本电气特性
VDD=5V，T
A
=25℃的条件下：
信号
参数
VDD
IDD
Vn
ISHDN
电源电压
静态电源电流
静态底噪
关断电流
输出功率
VDD=2.5V-6V，IO=0A
VDD=5V,AV=20DB,Awting
VDD=2.5V –6V
VDD=6V,
THD+N=10%,
f=1kHz ,RL=4Ω；
测试条件
最小值
2.5
2
典型值
5
2
56
0.5
3.9
最大值
6
6
单½
V
mA
uV
uA
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VDD=5V
THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω；
VDD=4.2V
THD+N=10%,
f=1kHz ,RL=4Ω；
VDD=6V
THD+N=1%, f=1kHz ,RL=4Ω；
VDD=5V
THD+N=1%, f=1kHz ,RL=4Ω；
VDD=4.2V
THD+N=1%, f=1kHz ,RL=4Ω；
VDD=5V
THD+N=10%,
f=1kHz ,RL=3Ω；
VDD=5V
THD+N=10%,
f=1kHz ,RL=8Ω；
VDD=4.2V
THD+N=1%, f=1kHz ,RL=8Ω；
VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω
VDD=5V Po=1.6W, RL=4Ω
VDD=5V,VRIPPLE=200mVRMS,
RL=8Ω, CB=2.2µF
VDD=6V
VDD=5V
VDD=4V
VDD=3V
VDD=6V
VDD=5V
VDD=4V
VDD=3V
SD=0
SD=0
VDD =5V,BYPASS=1uf，
2.7
1.9
3.0
2.0
1.4
3.9
W
Po
1.5
1.0
0.1
0.15
165
80
<1.3
<1.2
<1.0
<0.9
>1.9
>1.7
>1.5
>1.3
>2.5
<0.8
290
%
℃
dB
THD+N
OTP
PSRR
总谐波失真加噪声
过温保护
电源电压抑制比
SDopen
SD脚开启电压
V
SDsd
VDDopen
VDDsd
Topen
SD脚关闭电压
VDD开启电压
VDD关闭电压
开启时间
V
V
Ms
性½特性曲线
A
V
=20dB, BYPASS=1uf T
A
=25℃,无特殊说明项均是在VDD=5V,4Ω条件下测试:
描述
测试条件
Input Amplitude VS. Output Amplitude
Input Voltage VS. Maximum Output Power
Output Power VS.THD+N
Input Voltage VS.Power Crrent
Frequency VS.THD+N
Frequency Response
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编号
1
2
3
5
6
7
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VDD=5V,RL=4Ω
RL=4Ω,THD=10%
VDD=5V, RL=4Ω,A
V
=20DB
VDD=4.2V, RL=4Ω,A
V
=20DB
VDD=3.0V-5V, RL=4Ω,
VDD=5V,RL=4
Ω,A
V
=20DB,PO=0.2W
VDD=5V,RL=4Ω
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特性曲线
Maximum Output Power（W)
10000
Input Amplitude VS Output Amplitude
5
4
3
2
1
0
Input Voltage VS Maximum Output Power
RL=4Ω THD=10%
Output Amplitude(mVrms)
1000
100
VDD=5V RL=4Ω
10
10
100
1000
10000
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Input Voltage Amplitude（mVrms）
Input Voltage（V）
图1：Input
Amplitude VS. OutputPower
图2：Input
Voltage VS. Output Power
Output Power VS
THD+N
Power Current（ma)
10
VDD=6V RL=4Ω
VDD=5V RL=4Ω
VDD=4.2V RL=4Ω
1
0.1
0.01
0.1
1
9
8
7
6
5
4
3
2
1
3
Input Voltage VS Power Current
THD+N%
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Output Power（W）
Input Voltage（V）
图3：Output
Power VS.THD+N
图4：Input
Voltage VS.Power Crrent
10
Frequency VS THS+N
VDD=5V PO=1W RL=4Ω
0.1
0.01
10
100
1000
10000
Gain（db）
THD+N%
1
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
10
Frequency Response
VDD=5V RL=4Ω
100
1000
10000
Frequency(HZ)
Frequency(HZ)
图5：Frequency
VS.THD+N
图6：Frequency
Response
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应用说明
SD管脚控制
SD管脚是芯片½½脚½。控制芯片打开和关闭，
SD管脚为高电平时，功放芯片关断，SD管脚为½
电平时，功放芯片打开，正常工½。SD管脚不½
悬空。
SD管脚
½电平
高电平
芯片状态
打开状态
关闭状态
电源去藕
LTK8002D是高性½CMOS音频放大器，足够的电源退
耦可保证输出THD和PSRR½可½小。电源的退耦需
要可以用插件电容和陶瓷电容组合来实现。陶瓷电
容典型值为1.0µF，放½在½可½靠近器件VDD端口
可以得到最½的工½性½，
功放增益控制
LTK8002D接受模拟信号输入，输出为模拟音频信号，
其增益均可通过R
IN
调节，计算公式为：
PCB设计注意事项
芯片供电VDD脚½，建议½用一个贴片电容，
电容值为1uf。为了提升芯片工½性½以及让
电源在动态时更稳定，可在VDD处½用一个插
件电容220uf-470uf。
功放芯片电源走线要粗，最½½用敷铜方式连
接。电源供电脚（VDD）走线½络中如有过孔
必须½用多孔连接，并加大过孔内径，不可½
用单个过孔直接连接。
BYPASSD电容½量靠近芯片管脚放½。
输入电容（Ci）、输入电阻（Ri）½量靠近功
放芯片管脚放½，音频走线最½½用包地处理，
可以有效的抑制其他信号耦合的噪声。
LTK8002D 输出连接到喇叭的管脚走线管脚½可
½的短，并且走线½度不½过小。
R
f
A
V
½
2
（
）
R
i
A
V
为增益，通常用DB表示，上述计算结果单½为倍
数、20Log倍数=DB。
LTK8002D的串联电阻（Rin）和反馈电阻（Rf）½
由外部定义，用户可根据根据实际供电电压、输入
幅度、和失真度定义。
如Rf=56K时，Ri=10K。A
V
=2*56/10、=11.2倍、
A
V
=20.2DB
输入电容（Cin）和输入电阻（Rin）组成高通滤波
器，其截止频率为：
。
f
C
½
1
2
R
IN
C
IN
Cin电容选取较小值时，可以滤除从输入端耦合入
的½频噪声，同时有助于减小开启时的POPO声
Bypass电容
Byp电容是非常重要的，该电容的大小决定了功放
芯片的开启时间，同时Byp电容的大小会½响芯片
的电源抑制比、噪声、以及POP声等重要性½。建
议将该电容设½为1uf,因该Byp的充电速度速度比
输入信号端的充电速度越慢，POP声越小。
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单片机
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