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JST137C-600E

产品描述类型:双向可控硅 通态电流(It (RMS)) (Max):8A 断态电压Vdrm:600V 通态电流 (It (AV)) (Max):- 栅极触发电压:1.5V 栅极触发电流:10mA
产品类别分立半导体    可控硅   
文件大小376KB,共7页
制造商捷捷微(JJW)
官网地址http://www.jjwdz.com/cn/company
江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会先进会员单位,同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。
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JST137C-600E概述

类型:双向可控硅 通态电流(It (RMS)) (Max):8A 断态电压Vdrm:600V 通态电流 (It (AV)) (Max):- 栅极触发电压:1.5V 栅极触发电流:10mA

JST137C-600E规格参数

参数名称属性值
类型双向可控硅
通态电流(It (RMS)) (Max)8A
断态电压Vdrm600V
栅极触发电压1.5V
栅极触发电流10mA

JST137C-600E文档预览

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JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
JST137 Series
DESCRIPTION:
2
8A TRIACs
Rev.3.0
JST137 series triacs with low holding and latching
current are especially recommended for use on
middle and small resistance type power load.
JST137F provides insulation voltage rated at 2000V
RMS from all three terminals to external heatsink
complying with UL standards (File ref: E252906).
12
1
3
TO-251
3
TO-252
12
3 TO-220B
Non-Insulated
12
3
TO-220C
T1(1)
G(3)
MAIN FEATURES
Symbol
I
T(RMS)
V
DRM
/V
RRM
Value
8
600 and 800
Unit
A
V
12
3
TO-220F
Insulated
T2(2)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
Repetitive peak off-state voltage(T
j
=25℃)
Repetitive peak reverse voltage(T
j
=25℃)
Non repetitive surge peak Off-state voltage
Non repetitive peak reverse voltage
TO-251/ TO-252/
TO-220B(Non-Ins)/
RMS on-state current TO-220C(T
C
=110℃)
TO-220F(Ins)
(T
C
=95℃)
Non repetitive surge peak on-state current
(full cycle, F=50Hz)
I
2
t value for fusing (tp=10ms)
Critical rate of rise of on-state current
(I
G
=2×I
GT
)
Peak gate current
TEL
:+86-513-83639777
- 1 / 7-
Symbol
T
stg
T
j
V
DRM
V
RRM
V
DSM
V
RSM
Value
-40-150
-40-125
600/800
600/800
V
DRM
+ 100
V
RRM
+ 100
Unit
V
V
V
V
I
T(RMS)
8
A
I
TSM
I
2
t
dI/dt
I
GM
65
21
50
2
A
A
2
s
A/μs
A
http://www.jjwdz.com
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