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JMTL2002KT2

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA(Tc) 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小180KB,共4页
制造商捷捷微(JJW)
官网地址http://www.jjwdz.com/cn/company
江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会先进会员单位,同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。
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JMTL2002KT2概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA(Tc) 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

JMTL2002KT2规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)750mA(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻380mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道

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JMTL2002KT2
Description
JMT N-channel MOSFET
Features
V
DS
=20V, I
D
=0.75A
R
DS(ON)
<0.38Ω @ V
GS
= 4.5V
R
DS(ON
<0.45Ω @ V
GS
= 2.5V
R
DS(ON
<0.8Ω @ V
GS
= 1.8V
N-Channel Switch with Low R
DS(on)
Operated at Low Logic Level Gate Drive
Surface Mount Package
ESD Protected: 2KV
Application
Battery Protection
Load Switch
Power Management
Package
SOT-23
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25℃ unless otherwise specified)
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
, T
STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
note1
Power Dissipation
T
A
= 25℃
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
T
C
= 25℃
T
C
= 100℃
Max.
20
±10
0.75
0.5
3
0.35
417
-55 to +150
Units
V
V
A
A
W
℃/W
JieJie Microelectronics CO. , Ltd
-1-
Version :A
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