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JST80N30T2A

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 30V 90A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小744KB,共5页
制造商吉思泰(JESTEK)
官网地址http://www.jestek.com.cn/
南京江智科技有限公司是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。拥有一支从业经验15年以上的设计研发团队,在南京红枫工业园拥有完整的封装测试产线。 公司以功率器件为核心,掌握 8英寸先进器件设计工艺,持续关注器件电性能提高,以及产品的可靠性提高,通过ISO9001,ISO14001体系认证。与国际一流的芯片、封装、测试代工厂保持密切的合作,保证产品的品质可靠和稳定供货。公司产品以技术和市场的需要为导向,在中、低压MOS产品市场中,占有很大的份额。
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JST80N30T2A概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 30V 90A

JST80N30T2A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)90A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)90W(Tc)
类型N沟道
基于wifi无线PLC远程控制实现io开关量信号远程采集传输技术
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