深圳东科半导½有限公司
DK112
离线式开关电源控制芯片
功½描述
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是次级反馈,反激式
AC-DC
离线式开关电源控制芯片。芯片采用高集成度的
CMOS
电路设计,具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功½。芯片内½高压功率
管和自供电线路,具有外围元件极少,变压器设计简单(隔离输出电路的变压器只需要
两个绕组)等特点。
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
全电压输入
85V—265V。
内½
700V
功率管。
专利的自供电技术,无需外部绕组供电。
待机功耗小于
0.3W。
65KHz PWM
开关频率。
内½变频功½,待机时自动降½工½频率,在满足欧洲绿色½源标准(
< 0.3W)同
时,降½了输出电压的纹波。
频率抖动降½
EMI
滤波成本。
4KV
防静电
ESD
测试。
内½斜坡补偿电路,保证在½电压及大功率输出时的电路稳定。
过温、过流、过压以及输出短路,次级开路保护。
应用领域
12W
以下
AC-DC
应用包括:电源适配器、充电器、LED
电源、电磁炉、空调、DVD、
机顶盒等家电产品。
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东
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有
芯片内集成了高压恒流启动电路,无需外部启动电阻。
限
公
司
产品特点
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离线式开关电源控制芯片
封装与引脚定义(DIP8)
引脚
1
2
3
4
5,6,7,8
极限参数
供电电压
VDD
……………………………………………………………………
供电电流
VDD
……………………………………………………………………..
引脚电压
峰值电流
………………………………………………………………
功率管耐压
……………………………………………………………………
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符号
GND
GND
FB
功½描述
接地引脚
接地引脚
反馈控制端引脚,接
1nF½10nF
VCC
OC
供电引脚,外部对地接
10uF½100uF
的电容
…………………………………………………………………
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输出引脚,连接芯片内高压功率管,外部与开关变压器相连
-0.3V--8V
100mA
-0.3V--VDD+0.3V
-0.3V--730V
…………………………………………………………………………
800mA
……………………………………………………………………
1000mW
总耗散功率
-25
°
C--+125
°
C
工½温度
…………………………………………………………………
储存温度
…………………………………………………………………
焊接温度
-55
°
C--+150
°
C
+280
°
C/5S
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电气参数
项目
工½电压VCC
VCC启动电压
VCC重启电压
VCC保护电压
VCC工½电流
高压启动电流
启动时间
功率管耐压
OC保护电压
测试条件
AC
输入85V-----265V
AC
输入85V-----265V
AC
输入85V-----265V
AC
输入85V-----265V
VCC=4.7V,FB=2.2V
AC
输入265V
Ioc=1mA
AC
输入85V,C=100uF
Lp=1.2mH
10
---
700
600
650
50
最小
典型
4.7
4.9
3.4
5.8
20
---
---
610
660
720
65
20
30
1.2
500
---
700
800
70
130
最大
单½
V
V
V
V
mA
mA
ms
V
V
mA
mA
Khz
Khz
℃
ns
ns
75
270
%
mW
功率管最大电流
峰值电流保护
PWM输出频率
PWM输出频率
温度保护
前沿消隐时间
最小开通时间
PWM占空比
待机功耗
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公
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VCC=4.7V,FB=1.3v--3.0V,
VCC=4.7V,FB=1.3v—3.0v
VCC=4.7V,FB=1.6V--3.0V
VCC=4.7V,FB=1.3V--1.6V
VCC=5V,FB=1.6v—3.6v
VCC=4.7V
VCC=4.7V
120
125
250
500
VCC=4.7V,FB=1.6v—3.6v
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工½原理
上电启动:
芯片内½高压启动电流源;上电启动时½
VDD
电压小于启动电压时,打开三极管对
外部的
VDD
储½电容充电。½
VDD
电压达到
4.9V
启动电压的时候,关闭启动电流源,启
动过程结束,控制逻辑开始输出
PWM
脉冲。
½启动:
上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可½产生的变压器磁芯饱和,功率管和
次级整流管应力过大,芯片内½
4ms
½启动电路,在前
4ms
内,最大初级峰值电流为
330mA,时钟频率为 65K。启动结束后,最大初级峰值电流为 660mA,时钟频率为 65K。
PWM
输出:
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一个
PWM
周期由
3
部分组成:1 是电感充电(开关管开通)阶段,
T
1
=
电感放电阶段
(开关管关闭)
2
=
T
L
p
*
I
p
;2
是
V
in
L
p
*
I
p
,
为
OC
谐振阶段,
3
谐振周期为:
=
2
π
L
p
*
C
oc
。
T
V
vor
芯片
65K
定频输出方式,开通时间由
FB
反馈电压控制。
FB
检测和反馈控制:
Fb
引脚外部连接一只电容,以平滑
Fb
电压,外接电容会½响到电路的反馈瞬态特
性及电路的稳定工½,典型应用可在
1nF½10nF
之间选择;
½
Fb
电压½于
1.6V,
最大
Ip
电流为
660mA;
½
Fb
电压从
1.6V
逐渐上升到
2.8V
时,Ip
电流从最大电流
660mA
逐渐减小到
I
p
=
T
1
*
V
in
,
T
1
min
=500ns。
L
p
½
Fb
电压高于
1.6V
到
2.8V,
工½频率固定为
65kHz。
½
Fb
电压从
2.8V
到
3.6V
时,随
FB
电压升高工½频率逐渐降½。
½
Fb
电压大于
3.6V
时,电路将停止
PWM
输出。
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自供电:
芯片½用了专利的自供电技术,
控制
VDD
的电压在
4.7V
左右,
提供芯片本身的电流
消耗,无需外部辅助绕组提供。自供电电路只½提供芯片自身的电流消耗,不½为外部
线路提供½量。
过温保护:
任½时候检测到芯片温度超过
125℃,立即启动过温保护,停止输出脉冲,关断功
率管并进入异常保护模式。
初级短路保护:
外部变压器初级线圈的电流过大时,½启动结束后,如果在
PWM
开通
500ns
时检测
到初级线圈的电流达到
660mA,芯片立即关断功率管,
进入异常保护模式。
电源异常:
因外部异常导致
VCC
电压½于
3.4V
时,芯片将关断功率管,进行重新启动。
因外部异常导致
VCC
电压高于
5.8V
时,
立即启动
VCC
过压保护,
停止输出脉冲并进
入异常保护模式。
短路和过½½保护:
次级输出短路或者过½½时,FB 电压会½于
1.5v;在某些应用中,由于电机等感性负
½½在启动时会需要较高的启动电流,可½导致电路短时间的过½½,因此芯片第一次过½½
保护的判定时间是
500ms。
如果
FB
电压在
500ms
内恢复正常,
芯片不会判定过½½或短路;
如果
FB
电压在
500ms
内始终½于
1.5v,则判定为次级短路,
立即关闭
PWM
输出并进入异
常保护模式,并将短路保护判定时间缩短为
32ms,直到短路状况解除。
次级开路保护:
½检测到
OC
电压>610V,
立即关闭
PWM
输出并进入待机模式,直到
OC
电压<610V。
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