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HY1607B

产品描述漏源电压(Vdss):68V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小1MB,共14页
制造商华羿微(HUAYI)
官网地址http://www.hymexa.com/
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46%的股权。
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HY1607B概述

漏源电压(Vdss):68V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道

HY1607B规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻7.8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)115W(Tc)
类型N沟道

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Package Code
P :TO-220FB-3L
B:TO-263-2L
PS:TO-3PS-3L
PL:TO-3PM-3L
Date Code
YYXXX WW
M:TO-220FB-3S
MF:TO-220MF-3L
PM:TO-3PM-3S
Assembly Material
G:Lead Free
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