Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> HY1920P

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HY1920P: 产品描述漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小895KB，共10页; 制造商华羿微(HUAYI); 官网地址http://www.hymexa.com/; 华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。

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HY1920P概述

漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道

HY1920P规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	90A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	24mΩ @ 45A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	375W(Tc)
类型	N沟道

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TO-263-2L

TO-220FB-3L

Note: HUAYI lead -free products contain molding compounds/die attach materials and 100% matte tin plate Termi-

Nation finish;which are fully compliant with RoHS. HUAYI lead -free products meet or exceed the lead-Free require-

ments of IPC/JEDEC J-STD-020 for MSL classification at lead-free peak reflow temperature. HUAYI defi nes

“Green”

to mean lead-free (RoHS compliant) and halogen free (Br or Cl does not exceed 900ppm by weight in homogeneous

material and total of Br and Cl does not exceed 1500ppm by weight).

HUAYI reserves the right to make changes, corrections, enhancements, modifications, and improvements to this pr

-oduct and/or to this document at any time without notice.

www.hymexa.com

V1.0

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