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HY0810S

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小1MB,共11页
制造商华羿微(HUAYI)
官网地址http://www.hymexa.com/
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46%的股权。
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HY0810S概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

HY0810S规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻25mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.5W(Tc)
类型N沟道
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