Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> HY3003D

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HY3003D: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：67.6W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小966KB，共11页; 制造商华羿微(HUAYI); 官网地址http://www.hymexa.com/; 华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。

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HY3003D概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：67.6W(Tc) 类型：N沟道

HY3003D规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100A(Tc)
栅源极阈值电压	2.5V @ 250uA
漏源导通电阻	3.4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	67.6W(Tc)
类型	N沟道

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HY3003D

HY3003D概述

HY3003D规格参数

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