Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 通用二极管> DSR1M

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DSR1M: 产品描述直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1V @ 1A; 产品类别分立半导体通用二极管; 文件大小1MB，共4页; 制造商海德(High Diode); 官网地址http://www.h-diode.com/; 江苏海德半导体有限公司是专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的新兴高科技企业。“haide_logo.png ”为公司自主品牌，专业生产各系列贴片二极管、整流桥以及各类大中小功率三极管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压器、MOS管、晶体振荡器等半导体器件。公司主要生产设备采用进口的全自动生产设备，致力于以成熟又先进的技术、稳定的品质、优良的服务，及合理的价格向客户提供更具竞争力的高品质半导体产品及服务。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系，产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司严格按照ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系组织生产，产品符合欧盟指令（ROHS），并可以提供满足客户需要的无卤素产品。

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DSR1M概述

直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1V @ 1A

DSR1M规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	1kV
平均整流电流（Io）	1A
正向压降（Vf）	1V @ 1A

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DSR1A THRU DSR1M

SOD-1 23FL Plastic-Encapsulate Diodes

Features

●I

SOD-1 23FL

HD FL 46

50V-1000V

●VRRM

●High

surge current capability

●

Glass passivated chip

●

Polarity: Color band denotes cathode

Applications

●

Rectifier

Marking

●

DSR1A-DSR1M : A1-A7

DSR1

Item

Maximum RMS Voltage

Symbol Unit

RMS

140

280

1.0

420

560

700

F(AV)

FSM

load, Ta(Fig.1)

150

Item

Peak Forward Voltage

Symbol

=1.0A

Thermal

Resistance(Typical)

Notes:

（1）

Thermal resistance between junction and ambient and between junction and lead mounted on P.C.B with 3mm*3mm

copper pad areas.

igh Diode Semiconductor

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