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SMBJ20CA

产品描述反向关断电压(典型值):20V 击穿电压(最小值):22.2V 极性:Bidirectional 箝位电压:32.4V @ 18.5A 峰值脉冲电流(10/1000us):18.5A VRWM=20V,Vc=32.4V,Ipp=18.5A
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小1MB,共8页
制造商海德(High Diode)
官网地址http://www.h-diode.com/
江苏海德半导体有限公司是专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的新兴高科技企业。“haide_logo.png ”为公司自主品牌,专业生产各系列贴片二极管、整流桥以及各类大中小功率三极管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压器、MOS管、晶体振荡器等半导体器件。公司主要生产设备采用进口的全自动生产设备,致力于以成熟又先进的技术、稳定的品质、优良的服务,及合理的价格向客户提供更具竞争力的高品质半导体产品及服务。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司严格按照ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系组织生产,产品符合欧盟指令(ROHS),并可以提供满足客户需要的无卤素产品。
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SMBJ20CA概述

反向关断电压(典型值):20V 击穿电压(最小值):22.2V 极性:Bidirectional 箝位电压:32.4V @ 18.5A 峰值脉冲电流(10/1000us):18.5A VRWM=20V,Vc=32.4V,Ipp=18.5A

SMBJ20CA规格参数

参数名称属性值
反向关断电压(典型值)20V
击穿电压(最小值)22.2V
极性Bidirectional
箝位电压32.4V @ 18.5A
峰值脉冲电流(10/1000us)18.5A

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SMBJ SERIES
SMBG Plastic-Encapsulate Diodes
Transient Voltage Suppressor Diodes
Features
P
PP
600W
5.0V- 440V
V
RWM
Glass passivated chip
Applications
Clamping Voltage
Marking
SMBJ
XXCA/XXA/XX
XX
:
From 5.0 To 440
SMBG
Bi-directional
Uni-direction
Item
Peak pulse power dissipation
Peak pulse current
Power dissipation
Peak forward surge current
Operating junction and
storage temperature range
Symbol
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
T
J
,T
STG
Unit
W
A
W
A
Conditions
with a 10/1000us waveform
with a 10/1000us waveform
On infinite heat sink at T
L
=75℃
8.3 ms single half sine-wave unidirectional only
Max
600
See Next Table
5.0
100
-55 to +150
Electrical Characteristics(Ta=25
Unless otherwise specified)
Item
Maximum instantaneous forward
Voltage
Symbol
V
F
Unit
V
Conditions
Max
at 50A for unidirectional only
3.5/5.0
R
θJL
Thermal resistance
R
θJA
℃/W
℃/W
junction to lead
junction to ambient
20
100
Notes:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
= 25℃ per Fig.2.
(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal
(3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V
H
igh Diode Semiconductor
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