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2N7002

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小2MB,共5页
制造商海德(High Diode)
官网地址http://www.h-diode.com/
江苏海德半导体有限公司是专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的新兴高科技企业。“haide_logo.png ”为公司自主品牌,专业生产各系列贴片二极管、整流桥以及各类大中小功率三极管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压器、MOS管、晶体振荡器等半导体器件。公司主要生产设备采用进口的全自动生产设备,致力于以成熟又先进的技术、稳定的品质、优良的服务,及合理的价格向客户提供更具竞争力的高品质半导体产品及服务。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司严格按照ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系组织生产,产品符合欧盟指令(ROHS),并可以提供满足客户需要的无卤素产品。
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2N7002概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V

2N7002规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)225mW
类型N沟道

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2N7002
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET
N -Channel MOSFET
Product Summary
V
(BR)DSS
60
V
HD-ST0.36*0.36
R
DS(on)
MAX
 
@10V 
@5V 
 
I
D
115mA
SOT- 23
D
Features
MOSFET (N-Channel)
High density cell design for low R
DS(ON)
Voltage controlled small signal switch
Rugged and reliable
High saturation current capability
Applications
  
Load Switch for Portable Devices
DC/DC Converter
S
G
 Marking
:
 
7002
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source
Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
P
D
R
θJA
T
J
T
stg
Value
60
20
0.115
0.225
556
150
-50 ~+150
Unit
V
V
A
W
℃/W
H
igh Diode Semiconductor
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