Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> B5819W

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B5819W: 产品描述直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：900mV @ 3A 40V,1A,VF=0.6V@1A; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小2MB，共4页; 制造商海德(High Diode); 官网地址http://www.h-diode.com/; 江苏海德半导体有限公司是专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的新兴高科技企业。“haide_logo.png ”为公司自主品牌，专业生产各系列贴片二极管、整流桥以及各类大中小功率三极管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压器、MOS管、晶体振荡器等半导体器件。公司主要生产设备采用进口的全自动生产设备，致力于以成熟又先进的技术、稳定的品质、优良的服务，及合理的价格向客户提供更具竞争力的高品质半导体产品及服务。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系，产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司严格按照ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系组织生产，产品符合欧盟指令（ROHS），并可以提供满足客户需要的无卤素产品。

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B5819W概述

直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：900mV @ 3A 40V,1A,VF=0.6V@1A

B5819W规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	40V
平均整流电流（Io）	1A
正向压降（Vf）	900mV @ 3A

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B5817 W-B5819W

SOD1 23 Plastic-Encapsulate Diodes

Schottky Rectifier

HD SD0.75

Features

●

20V-40V

●

Applications

●

Low Voltage Rectification

●

Low Power Consumption Applications

●

High Efficiency DC/DC Conversion

SOD1 23

Marking

●

B5817W:SJ

B5818W:SK

B5819W:SL

Parameter

Non-Repetitive Peak

Reverse Voltage

Peak

Repetitive

Peak

Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Non-repetitive Peak

Forward

Surge Current

@t=8.3ms

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

FRM

θJA

STG

B5817W

B5818W

1.5

500

200

125

-55~+150

B5819W

Unit

℃/W

℃

Repetitive Peak Forward Current

Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to

Ambient

Junction temperature

Storage

Temperature

Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter

Reverse breakdown voltage

Symbol

(BR)

=20V

=30V

=40V

B5817W

B5818W

B5819W

Test

= 1mA

conditions

B5817W

B5818W

B5819W

B5817W

B5818W

B5819W

=1A

=3A

Forward voltage

=1A

=3A

=1A

=3A

Diode capacitance

=4V, f=1MHz

Min

0.45

0.75

0.55

0.875

0.6

0.9

120

Max

Unit

Reverse voltage leakage current

igh Diode Semiconductor

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