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BAT54C

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA 30V,200mA,VF=1V@100mA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小2MB,共4页
制造商海德(High Diode)
官网地址http://www.h-diode.com/
江苏海德半导体有限公司是专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的新兴高科技企业。“haide_logo.png ”为公司自主品牌,专业生产各系列贴片二极管、整流桥以及各类大中小功率三极管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压器、MOS管、晶体振荡器等半导体器件。公司主要生产设备采用进口的全自动生产设备,致力于以成熟又先进的技术、稳定的品质、优良的服务,及合理的价格向客户提供更具竞争力的高品质半导体产品及服务。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司严格按照ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系组织生产,产品符合欧盟指令(ROHS),并可以提供满足客户需要的无卤素产品。
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BAT54C概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA 30V,200mA,VF=1V@100mA

BAT54C规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 100mA

BAT54C文档预览

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BAT54/A/C/S
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
SCHOTTK Y
BARRIER DIODE
SOT- 23
Features
Extremely Fast Switching Speed
3
Marking:
BAT54
BAT54A
BAT54C
BAT54S
2
1
  
MARKING: KL1
MARKING:KL2
MARKING :KL3
MARKING:KL4
  
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms
Repetitive Peak Forward Current @ t≤1s,δ≤0.5
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
I
FSM
I
FRM
P
D
R
ΘJA
T
j
T
stg
Value
30
200
600
300
200
500
125
-55~+150
Unit
V
mA
mA
mA
mW
℃/W
Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
Parameter
Reverse voltage
Symbol
V
(BR)
Min
30
0.24
0.32
Forward voltage
V
F
0.40
0.50
1
Reverse current
Diode capacitance
Reverse recovery time
I
R
C
D
t
rr
2
10
5
Typ
Max
Unit
V
V
V
V
V
V
μA
pF
ns
Test conditions
I
R
=100μA
I
F1
=0.1mA
I
F2
=1mA
I
F3
=10mA
I
F4
=30mA
I
F5
=100mA
V
R
=25V
V
R
=1V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1×I
R
,R
L
=100Ω
H
igh Diode Semiconductor
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