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GBJ3510

产品描述反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):35A 正向压降(Vf):1.1V @ 17.5A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小214KB,共3页
制造商固驰(GUERTE)
官网地址http://www.guerte.com
浙江固驰电子有限公司创办于1995年,专业生产半导体器件,经过多年拼搏、创新,现已发展成为集科研、生产、销售为一体的综合型企业。产品包括ZQ系列整流管芯、CELL芯片、5-200A单三相整流桥、电力半导体模块等,广泛应用于变频器、逆变焊机、UPS电源等领域。
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GBJ3510概述

反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):35A 正向压降(Vf):1.1V @ 17.5A

GBJ3510规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压1000V
平均整流电流(Io)35A
正向压降(Vf)1.1V @ 17.5A

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GBJ3502~GBJ3510
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
Features
Ideal for printed circuit board
Glass passivated chip junction
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
High temperature soldering
260℃/10 seconds at terminals
Major Ratings and Characteristics
Mechanical Date
Case:
GBJ Molded plastic
over glass passivated chip
Terminals:Plated
leads solderable per
MIL-STD-750,Method 2026
Polarity:
Polarity symbols marked on body
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
j
max.
35 A
200V to 1000V
400A
10
μA
1.1 V
150 °C
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Items
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
C
=55℃
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Thermal resistance from junction to case per leg
I t Rating for Fusing (t<8.3ms)
RMS isolation voltage from case to leads
Operating junction and storage temperature range
Note 1: Junction to case with heatsink
2
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJC
It
V
ISO
T
J ,
T
STG
2
(1)
GBJ
3502
200
140
200
GBJ
3504
400
280
400
GBJ
3506
600
420
600
35.0
400
1.0
660
2500
GBJ
3508
800
560
800
GBJ
3510
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
℃/W
As
V
2
–55 to +150
Electrical Characteristics
Items
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Test conditions
I
F
=17.5A
V
R
=V
DC
T
j
=25℃
T
j
=125℃
- 1 -
Symbol
V
F
I
R
Min
-
-
Type
-
-
Max
1.10
10
500
UNIT
V
μA
Instantaneous forward voltage per leg
Reverse current per leg
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