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FHA20N60A

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):272W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小843KB,共11页
制造商飞虹(FeiHong)
官网地址http://www.gzfeihong.com/
广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区,诚信经营20多年。主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域,为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。
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FHA20N60A概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):272W(Tc) 类型:N沟道

FHA20N60A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻400mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)272W(Tc)
类型N沟道

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N
沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
ID
VDSS
Rdson-typ @Vgs=10V)
P
D
(T
C
=25℃)
20A
600V
0.32Ω
85W
产品特性
FEATURES
½栅极电荷
½
Crss (典型值 20pF)
开关速度快
100%经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
Low gate charge
Low Crss (typical 20pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
用途
APPLICATION
高频开关电源
High efficiency switch
mode power supplies
电子镇流器
LED
电源
Electronic ballast
LED power supply
封装½式
Package
等效电路
Equivalent Circuit
TO-220
FHP
系列
TO-220F
FHF
系列
TO-3PN
FHA
系列
数值
Value
FHF20N60A
FHP20N60A
600
20*
14*
80*
±
30
1200
4.5
100
5.0
62.2
0.5
85
0.68
150,–55 to 150
272
2.17
FHA20N60A
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流*
Drain Current -continuous *
最大脉冲漏极电流(注
1)
Drain Current – pulse(note 1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量(注
2)
Single Pulsed Avalanche Energy(note 2)
雪崩电流(注
1)
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩½量(注
1)
Repetitive Avalanche Current(note 1)
二极管反向恢复最大电压变化速率(注
3)
Peak Diode Recovery dv/dt(note 3)
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes
符号
Symbol
VDS
ID(TC=25℃)
ID(TC=100℃)
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD(TC=25℃)
单½
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
-Derate above 25℃
TJ,TSTG
TL
300
*漏极电流由最高结温限制
Drain current limited by maximum junction temperature
1
Ver-1.0
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