Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> FHA24N50A

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FHA24N50A: 产品描述漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小659KB，共9页; 制造商飞虹(FeiHong); 官网地址http://www.gzfeihong.com/; 广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区，诚信经营20多年。主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域，为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。

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FHA24N50A概述

漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道

FHA24N50A规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	24A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	200mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	290W(Tc)
类型	N沟道

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