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FHF20200A

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):950mV @ 10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小530KB,共6页
制造商飞虹(FeiHong)
官网地址http://www.gzfeihong.com/
广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区,诚信经营20多年。主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域,为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。
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FHF20200A概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):950mV @ 10A

FHF20200A规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)2 x 10A
正向压降(Vf)950mV @ 10A

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肖特极势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
FHP20200A/FHF20200A
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
V
F
-typ( @I
F
=10A)
T
J
20(2×10)A
200 V
0.88V
150℃
产品特性 FEATURES
共阴结构
½功耗
高抗浪涌电流½力
RoHS
产品
Common cathode structure
Low power loss
Improved surge current
capability
RoHS product
用途 APPLICATIONS
高频开关电源
极性保护电路
High frequency switch power
supply
Polarity protection
application
封装½式 Package
等效电路
Equivalent Circuit
123
TO-220
FHP series
123
TO-220F
FHF series
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流
整个器件
Average forward
per device
current
per diode
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负½½
8.3ms
半正弦波—按
JEDEC
方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
符 号
Symbol
V
RRM
V
DC
I
F(AV)
数 值
Value
200
200
20
A
10
I
FSM
250
A
单 ½
Unit
V
V
T
j
T
STG
150
-40~+150
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
I
R
Ta =25℃
Ta =125℃
V
F
Ta =25℃
Ta =125℃
I
F
=10A
测试条件
Tests conditions
V
R
=V
RRM
最小值
Value
(min)
-
-
-
-
典型值
Value
(typ)
1.0
-
0.88
0.75
最大值
Value
(max)
10
1
0.95
0.87
单½
Unit
μA
mA
V
V
1
Ver-1.0
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