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FHD100N03A

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小910KB,共10页
制造商飞虹(FeiHong)
官网地址http://www.gzfeihong.com/
广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区,诚信经营20多年。主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域,为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。
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FHD100N03A概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道

FHD100N03A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻5.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)39W(Tc)
类型N沟道

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