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C2383B

产品描述晶体管类型:- 集电极电流Ic:1A 集射极击穿电压Vce:160V 额定功率:900mW
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小397KB,共4页
制造商飞虹(FeiHong)
官网地址http://www.gzfeihong.com/
广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区,诚信经营20多年。主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域,为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。
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C2383B概述

晶体管类型:- 集电极电流Ic:1A 集射极击穿电压Vce:160V 额定功率:900mW

C2383B规格参数

参数名称属性值
集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce160V
额定功率900mW

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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
I
C
V
CEO
P
C
1.0A
160V
0.9W
产品特性 FEATURES
硅外延
高开关速度
RoHS
产品
Epitaxial silicon
High switching speed
RoHS product
用途 APPLICATIONS
高频开关电源
一般功率放大电路
高频功率变换
High frequency switch power
supply
Commonly power amplifier
circuit
High frequency power
transform
封装½式 Package
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
集电极—基极直流电压
Collector- Base Voltage( IE=0)
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage(IC=0)
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
数值
Value
180
160
5.0
1.5
0.9
150
-55~+150
单½
Unit
V
V
V
A
W
1
ver-1.0
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