N
沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
FHU4N65E/FHD4N65E/FHP4N65E/FHF4N65E
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID
VDSS
Rdson-typ（ @Vgs=10V）
Qg-typ
4A
650 V
2.1Ω
18nC
产品特性 FEATURES
½栅极电荷
½
Crss (典型值 4.5pF)
开关速度快
100%经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
Low gate charge
Low Crss (typical 4.5pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
用途 APPLICATIONS
高频开关电源
High efficiency switch
mode power supplies
等效电路
Equivalent Circuit
封装½式 Package
D
G
D
S
G
S
G
S
D
TO-251
FHU series
TO-252
FHD series
TO-220
FHP series
S
GD
TO-220F
FHF series
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数值
Value
FHU/D/P4N65F
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流*
Drain Current -continuous *
最大脉冲漏极电流（注
1）
Drain Current – pulse（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量（注
2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量（注
1）
Repetitive Avalanche Current（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
V
DS
I
D
（T
C
=25℃）
I
D
（T
C
=100℃)
I
DM
V
GS
E
AS
I
AS
E
AR
dv/dt
25
0.43
-55½+150
300
650
4
3
16
±30
54.5
3.3
10
5.0
20
0.36
FHF4N65F
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
项目
Parameter
符号
Symbol
单½
Unit
P
D
（TC=25℃）
耗散功率
-Derate above 25℃
Power Dissipation
最高结温及存储温度
T
J
，T
STG
Operating and Storage Temperature Range
引线最高焊接温度
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
1
Ver-1.0
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
Parameter
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain
Current
栅极½漏电流
Gate-body leakage current
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
V
GS(th)
R
DS(ON)
gfs
V
DS
= VGS , I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=2A
V
DS
= 25V, I
D
=2A（note 4）
3
-
-
-
2.1
4.5
4
2.4
-
V
Ω
S
BV
DSS
ΔBV
DSS
/Δ TJ
I
D
=250μA, V
GS
=0V
I
D
=250μA, referenced to 25℃
V
DS
=650V,V
GS
=0V, T
C
=25℃
I
DSS
I
GSS（F/R）
V
DS
=520V, T
C
=125℃
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
650
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
1
100
±
100
V
V/℃
μA
μA
nA
符号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单½
Units
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Ciss
-
Input capacitance
V
DS
=25V,
输出电容
Coss
V
GS
=0V,
-
Output capacitance
f=1.0MHz
反向传输电容
Crss
-
Reverse transfer capacitance
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
td(on)
-
Turn-On delay time
V
DS
=250V,
上升时间
tr
-
I
D
=4A,
Turn-On rise time
R
G
=25Ω
延迟时间
td(off)
-
V
GS
=10V
Turn-Off delay time
（note
4，5）
下降时间
tf
-
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Qg
-
V
DS
=520V ,
Total Gate Charge
I
D
=4A ,
栅－源电荷
Qgs
-
V
GS
=10V
Gate-Source charge
（note
4，5）
栅－漏电荷
Qgd
-
Gate-Drain charge
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
I
S
-
-Source Diode Forward
Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed
I
SM
-
Drain-Source Diode Forward
Current
正向压降
V
SD
V
GS
=0V, I
S
=4A
-
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
trr
-
Reverse recovery time
V
GS
=0V, I
S
=4A ,dI
F
/dt=100A/μs
(note 4)
反向恢复电荷
Qrr
-
Reverse recovery charge
545
53
4.5
-
-
-
pF
36
13
80
24
18
3
12
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-
4
A
-
16
A
0.9
550
1.38
1.3
-
-
V
ns
μC
2
Ver-1.0
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
符号
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-A)
FHU/D/P4N65E
5
60
FHF4N65E
6.25
62.5
单½
Unit
℃/W
℃/W
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=10mH, I
AS
=3.3A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,起始结温 T
J
=25℃
3：I
SD
≤4A,di/dt ≤100A/μs,V
DD
≤B
VDSS
,起始结温 T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度 ≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=10mH, I
AS
=3.3A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting T
J
=25℃
3：I
SD
≤4A,di/dt ≤100A/μs,V
DD
≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperatur
3
Ver-1.0
嵌入式系统
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