Etek
Microelectronics
ET533XX
高电源抑制比、½噪声
300mA LDO
概述
ET533XX
系列芯片，具有很高的电源抑制比，静态工½电流
40uA
左右，适合射频方面的应用。该系
列采用先进的
CMOS
工艺，
实现快速启动、
½噪声、
极½的瞬时反应特性和很高电源抑制比功½。
ET533XX
系列芯片稳定于
1.0μF
陶瓷输出电容，并且½用精确的参考电压和反馈环路，½够在所有负½½，线路，流
程和温度变化情况下最多产生
2％的精度误差。该系列芯片的工½结温规定在-40℃½+125℃，它采用小型
SOT23-5/SC70-5/SOT24/DFN4/SOT23-3/SOT89-5
封装，其中采用
DFN
封装的产品很适用于小型便携式设
备，如无线手机和
PDA。
ET533XX
系列提供标准的固定输出电压
1.2V（ET53312）
，1.5V（ET53315）
，1.8V（ET53318）
，2.5V
（ET53325）
，2.8V（ET53328）
，3.0V（ET53330）
，3.3V（ET53333）和自定义电压选择（0.8V 和
5.0V
之
间
50mV
的步幅电压选择应要求提供）
。
功½特点
½输入电压范围：2.5V 至
6.0V
高达
300mA
的负½½电流
标准的固定输出电压选项：1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V 和
3.3V
其他输出电压应要求可提供
很½的静态工½电流
I
Q
: 36µA
超½的电压压降：在
300mA
的负½½时压降为
190mV
很高的电源抑制比
PSRR：工½在 100Hz
时为
80dB
超½噪声：在输出电压为
1.2V
时噪声电压为
45uVrms
超快速启动时间：25μs
极½的负½½/线路暂态响应
线路调整率：典型值为
0.03％
封装：SOT23-5(ET533**)；SC70-5(ET533**SC)；DFN4(1*1)(ET533**Y)；SOT24(ET533**S4)；
DFN4 1.6*1.2）
（
(ET533**YD)；
SOT23-3(ET533**E，
ET533**F)；
SOT89-3 ET533**B，
（
ET533**C）
标签信息
Rev 2.0 2012-12-24
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ET533XX
应用
智½手机和便携式电话
掌上电脑
MP3/MP4播放器
数码照相机
便携式仪器
管脚排列图
SOT23-5/ SC70-5
DFN4（1*1）
SOT24
DFN4(1.6*1.2)
SOT89-3
SOT23-3
管脚说明
引脚编号
SOT23-5
DFN4 1*1） SOT24
（
DFN4(1.6*1.2)
引脚名称
4
2
3
IN
GND
EN
NC
1
OUT
引脚功½
电源输入引脚。必须½用1μF或更大的陶瓷电
容器接到GND上，½为去耦电容。
接地引脚。
½½控制输入，高电平有效。不要½EN脚悬
空。
无连接引脚。
输出引脚。从该引脚连接一个1μF陶瓷电容器
到地，½为旁路电容。
1
2
3
4
5
4
2
3
4
2
1
-
1
3
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ET533XX
型号
ET533XXB
ET533XXC
ET533XXE
ET533XXF
封装
1
SOT89
SOT89
SOT23
SOT23
VOUT
GND
VIN
GND
管脚排列
2
GND
VIN
GND
VOUT
3
VIN
VOUT
VOUT
VIN
结构框图
功½说明
输入电容
在
V
IN
和
GND
引脚之间建议连接一个
1μF
的陶瓷电容去减弱输入电源的纹波电压和噪声电压。电容
值可以无限大。该输入电容½可½的靠近元件，以确保输入的稳定性和产生更小噪音电压。 在
PCB
布局
时要求对
V
IN
和
GND
引脚进行广泛覆铜。
输出电容
为了
LDO
的稳定性需要一个输出电容器。
建议输出电容值在
1μF
到
2.2μF
之间，
其等效串联电阻
（ESR）
在
5mΩ
到
100MΩ
之间，其温度特性是
X7R
或
X5R。更高的电容值有助于提高负½½/线路暂态响应。输出
电容可以有助于维持½的上下脉冲信号。输出电容器的½½½可½的靠近于
OUT
和
GND
引脚。
开/关输入操½
ET533XX系列通过设½EN脚高打开，通过将EN脚拉½关闭。如果不½用此功½，EN引脚应该连接到
IN引脚，以保证在任½时候调节器输出。3脚封装无EN脚。
高电源抑制（PSRR）比和½噪声
射频电路如LNA（½噪声放大器），上/下变频器，混频器，锁相环，压控振荡器和IF阶段，需要½噪
声和高PSRR的LDO。温度补偿晶½振荡器电路在射频功率放大器突发频率时要求非常高的PSRR。例如，
在217Hz时最½65dB的电源抑制比被推荐½用在GSM手机上。
为了提供良½的音频质量，免提，游戏机，MP3和手机中的多媒½应用中的音频的电源，需要½噪声
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ET533XX
和在音频范围（20Hz
- 20kHz）内的高PSRR。
工½在100Hz时具有高达
80dB PSRR的ET533XX系列芯片是为大多数需要高PSRR和½噪音应用场合
适用。
超快速启动
激活打开后，ET533XX系列芯片½够在短短的几十微秒（典型值25μs）提供足够的电源功率。此功½
将有助于负½½电路实时进出于待机模式，最终延长手机和其它便携式设备的电池寿½。
快速暂态响应
拥有快速暂态响应的
LDOs
还可以延长电池寿½。
基于
TDMA
的移动电话协议，
如全球移动通讯系统
（GSM）
有一个发送/接收为
12.5%的占空因数，
它可通过在传输周期之间将基带电路进入待机模式来节½。
在基带电路，负½½经常在从
100μA
到
100mA
的瞬间进行½换。为了满足这一负½½要求，LDO 的必须非常
迅速地反应过来，且没有大的压降或过冲（这是传统通用的
LDO
所不½满足的一项要求。。
）
ET533XX
系列芯片的快速暂态响应时间从
0
到
300mA，它为带有快速变化负½½的 DSP
和
GSM
芯片
可提供稳定电压。
½静态电流
一般来讲，手机基带内部数字电路在所有的时间½在运行，这需要LDO工½在任½时候。然而，在待
机模式下，微处理器功耗仅约100〜300μA。由于手机有最长的百分比时间停留在待机状态，½用LDO的静
态电流仅为40μA，而不是为100μA，可节省60μA，因此½够充分的延长电池待机时间。
ET533XX系列芯片针对所有输入范围和输出负½½只消耗约40μA的电流，为便携和½功耗应用节省了
大量½源。
电流限制保护
½OUT引脚的输出电流高于阈值电流或OUT引脚短路至GND，电流限制保护将被触发，并控制½输出
电流约为500mA，进行过流保护和防止稳压器因过热而造成损害。
过热关断保护
½结时温度上升到大约+155℃时，过热保护关闭输出，允许设备降温。½结温降½到大约+130
° C
时
输出电路是再次启用。根据功耗，热电阻，环境温度，过热保护电路可循环开启和关闭。这种循环可控制
稳压器的热耗散，防止它因过热而造成损害。
极限参数
特性
输入电压
其它引脚电压
最大负½½电流
封装为SOT23-5,结处环境热阻(θ
JA
)
封装为DFN2x2-6,结处环境热阻(θ
JA
)
工½结温
存储温度
引线温度（焊接，10秒）
范围
-0.3½6.5
-0.3½V
IN
+0.3
500
220
120
-40½125
-65½150
300
单½
V
V
mA
℃/W
℃/W
℃
℃
℃
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ET533XX
电参数
(V
IN
= V
EN
=3.6V, T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
输入电压工½范围
输出电压降
直流电源静态电流
直流电源关断电流
稳定输出电压
输出电压线性调整率
输出电压负½½调整率
½启动时间
电流限制
电源抑制比
电源抑制比
电源抑制比
PSRR
PSRR
PSRR
I
Q_ON
I
Q OFF
V
OUT
符号
V
IN
V
OUT
≥
2.8V, I
OUT
= 300mA
工½模式：
V
EN
=V
IN
V
EN
=0V
I
OUT
=1mA, -40
℃
≤T
A
≤85℃
V
IN
= V
OUT
+1V½5.5V,
I
OUT
= 10mA
I
OUT
=0mA
½
300mA
从激活到上电启动
R
LOAD
=1Ω
f=100Hz,C
OUT
=1μF, I
OUT
=20mA
f=1kHz, C
OUT
=1μF, I
OUT
=20mA
f=10kHz, C
OUT
=1μF, I
OUT
=30mA
10Hz½100kHz, I
OUT
=
200mA,V
OUT
=2.8V,C
OUT
= 1μF
10Hz½100kHz, I
OUT
=
200mA,V
OUT
=1.2V,C
OUT
= 1μF
1.4
I
EN
0
155
20
0.1
350
-2
0.03
0.1
25
500
80
70
52
70
µV
RMS
45
0.4
V
V
µA
℃
℃
测试条件
最小
值
2.5
190
36
0.01
典型
值
最大
值
6.0
280
49
1
2
0.2
0.4
单½
V
mV
µA
µA
%
%
%
µs
mA
dB
dB
dB
输出噪声
EN½电平临界值
EN高电平临界值
EN引脚输入电流
过温关断阈值
过温关断迟滞
参考应用线路图
*：此电路仅供参考。
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FPGA/CPLD
京公网安备 11010802033920号
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