PN8360
高精度CC/CV原边反馈交直流½换器
概述
Chipown
PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性½、外围元器件精简的充电器和LED照明。
PN8360工½在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功½，包含逐周期过流保护、过
压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内½高压启动电路和极½的芯片工½电流½得系
统½够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节；在恒压模式，PFM工½
模式可获得较高的性½和效率。½½½时，该芯片采用较小的峰值电流工½以减小音频噪声。另外，输出线电阻补偿功½有
助于获得较½的负½½调整率。
特征
■
■
■
■
■
■
■
■
■
内½650V功率MOSFET
全电压输入范围±5%的电流/电压调整率
可省光耦和TL431
恒压和恒流可调
输出线补偿功½
内½原边电感量补偿电路
无音频噪声
内½高压启动电路
优异全面的保护功½
过温保护
(OTP)
VDD欠压锁定 (UVLO)
CS开/短路保护
开环保护
(OLP)
VDD过压保护 (OVP)
安全自动恢复模式
应用领域
■
■
电池充电器
LED照明
封装/订购信息
DIP8
VDD
COMP
FB
CS
GND
GND
SW
SW
订购代码
PN8360SSC-R1
PN8360SSC-R1B
PN8360SSC -R1C
PN8360NEC-T1
PN8360NEC-T1B
PN8360NEC-T1C
封装
SOP7
SOP7
SOP7
DIP8
DIP8
DIP8
线电阻
补偿
3%
6%
0%
3%
6%
0%
典型功率
85~265 V
AC
12W
12W
12W
15W
15W
15W
典型应用
无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心
C
幢
13
层
电话：+86(510)85217718
½址：http://www.chipown.com.cn
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PN8360
管脚定义
表
1.
管脚定义
SOP-7
管脚标号
1
2
3
4
5
6
7
DIP-8
管脚标号
1
2
3
4
5
6
7,8
管脚名
VDD
COMP
FB
CS
SW
GND
工½电压输入引脚
环路补偿引脚
反馈引脚，辅助绕组电压通过电阻反馈稳定输出
电流检测引脚
高压MOSFET引脚
地电½
管脚功½描述
典型功率
表
2.
典型功率
产品型号
封装
SOP-7
PN8360
DIP-8
备注
1.
最大输出典型功率是在密闭式
45°C
环境下测试，且具备充足的散热条件。
15W
密闭环境
85-265 V
AC
12W
极限工½范围
VDD
脚耐压…………………………………………………..…………..……………………….…...-0.3~25V
SW
脚耐压…………………………………………………………….………………………………...650V
FB,CS,COMP
脚耐压………….………………………………………………………………..……..-0.3~5.5V
结工½温度范围………………………………………………………………………………………...-40~150℃
封装热阻
(SOP-7)……………………………...……………………...……. ……………………….. 80°C/W
封装热阻
(DIP-8)……………………………. …..…………………...……. ……………………….. 40°C/W
存储温度范围……………………………………………………………………………………………-55~150℃
管脚焊接温度
(10秒) …………………………………………………………………………………..260℃
ESD
½力(HBM)
…………………………………………………………………………………………4.0kV
最大漏极脉冲电流……………………………………………………………………………………….3.0A
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电气特性
表
3.
功率部分
(T
J
=25°C, V
CC
= 17 V；特殊情况另行说明)
符号
V
BVDSS
I
OFF
R
DS(on)
参数
功率管耐压
关态漏电流
功率管导通电阻
测试条件
I
SW
= 250uA, T
J
= 25℃
V
SW
= 500V
I
SW
= 1A,T
J
= 25℃
2.5
最小
650
典型
690
100
最大
单½
V
uA
Ω
表
4.
电源部分
(T
J
=25°C, V
CC
= 17 V；特殊情况另行说明)
符号
工½电压部分
V
SW_START
I
DD_CH
V
DD
V
DDon
V
DDoff
V
DDovp
V
DDclamp
工½电流部分
I
DDon
I
DDoff
I
DD1FAULT
开关工½时芯片电流
静态工½时芯片电流
保护状态时芯片电流
V
DD
＝17V
V
DD
= 10 V
V
DD
＝17V
after fault
0.2
0.1
0.1
0.4
0.2
0.2
1.0
0.4
0.4
mA
mA
mA
漏源启动电压
启动管充电电流
工½电压范围
VDD启动阈值电压
VDD欠压保护阈值电压
VDD过压保护电压
VDD钳½电压
V
DD
<V
DDOFF
, Isw charge V
DD
After turn-on
20
-0.6
8
13.5
7
25
27
15
8
27
30
-1
-1.4
25
16.5
9
29
33
V
mA
V
V
V
V
V
参数
测试条件
最小
典型
最大
单½
表5. 控制部分
(T
J
=25°C, V
CC
= 17 V；特殊情况另行说明)
符号
电流检测部分
T
LEB
V
TH_OC1
V
TH_OC2
FB部分
V
REF1
T
offmin
T
offmax
T
onmax
COMP部分
Vcable1
Vcable2
Vcable3
过温保护部分
T
SD
T
HYST
过温保护温度
过温保护回差
140
160
30
°C
°C
线电阻补偿值
线电阻补偿值
线电阻补偿值
0%
3%
6%
空½½反馈基准电压
最小关断时间
最大关断时间
最大开启时间
16
1.945
1.965
3.8
10
25
40
1.985
V
us
ms
us
前沿消隐时间
过流检测阈值电压
½½½过流检测阈值电压
485
450
500
330
515
ns
mV
mV
参数
测试条件
最小
典型
最大
单½
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典型电路
图
1.
充电器或适配器应用
功½描述
1.
启动
在启动阶段，内部高压电流源为内部偏½电路供电并给外部VDD电容充电。½VDD电压达到15V，芯片
开始工½的同时高压启动电路关断；只要VDD电压不½于8V，芯片维持正常工½。启动后，偏½电路通过辅
助源供电。
2. CC工½模式
在CC工½状态，PN8360采样FB引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组信号脉½决定振
荡频率。输出电压越高，脉½越小，同时振荡频率越高，这样可获得恒定的输出电流。
3. CV工½模式
在CV工½状态，PN8360采样FB引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组平台电压决定振
荡频率。 重½½时，系统输出电流增大，振荡频率增大；在空½½时芯片进入跳周期模式，进一步减小待机损耗。
½½½时，该芯片采用较小的峰值电流工½以减小音频噪声。
4.
电流检测和前沿消隐
PN8360提供逐周期检测功½。功率管电流通过CS引脚的电阻检测，CC模式设½点和最大输出功率½通过
外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部前沿消隐电路可防止误触发而不需要
额外的RC滤波电路。
5.
可编程线缆补偿功½
线缆补偿模块可以½输出线损压降得到补偿。½负½½从满½½减小到空½½时，线损压降也同样减小。在空
½½，减小CV设½点，而满½½时提高CV设½点；该补偿由芯片内部设½决定，可以通过不同版本芯片选择所需
要的补偿幅度。
6.
保护控制
PN8360拥有多种自保护功½，如过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护、
VDD欠压锁定保护功½。除CS短路保护外，其他的保护是可自恢复模式。
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封装尺寸（SOP7）
表
6.
SOP-7
封装尺寸
尺寸
符号
A
A1
A2
A3
b
b1
c
c1
最小(mm)
—
0.10
1.30
0.60
0.39
0.38
0.21
0.19
正常(mm)
—
0.15
1.40
0.65
—
0.41
—
0.20
最大(mm)
1.75
0.225
1.50
0.70
0.48
0.43
0.26
0.21
尺寸
符号
D
E
E1
e
h
L
L1
θ
0°
0.25
0.50
最小(mm)
4.70
5.80
3.70
正常(mm)
4.90
6.00
3.90
1.728（SC）
—
—
1.05BSC
—
8°
0.50
0.80
最大(mm)
5.10
6.20
4.10
图
2.
外½示意图
订购代码
PN8360SSC-R1
PN8360SSC-R1B
PN8360SSC-R1C
线电阻补偿
3%
6%
0%
表层丝印
PN8360
YWWAXXXX
PN8360
YWWBXXXX
PN8360
YWWCXXXX
备注
Y：年½代码； WW：周代码；A：PN8360SEC-R1；XXXX：内部代码
Y：年½代码； WW：周代码 B：PN8360SEC-R1B；XXXX：内部代码
Y：年½代码；WW：周代码 C：PN8360SEC-R1C；XXXX：内部代码
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