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WS3A006120E

产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小664KB,共5页
制造商CETC
官网地址http://www.ecthf.cn/smd
合肥博微田村电气有限公司是一家中日合资高新技术型企业,成立于1997年,2002年9月11日公司顺利地通过了质量认证,取得了ISO9001质量体系 认证证书。2003年7月21日取得了CQC的产品认证证书,同年9月又取得了 TUV 的认证证书。2002年、2003年和2004年连续三年获得了安徽省外经贸厅和安徽省外商投资企业协会颁发的“出口创汇双优奖 ”。其中,2003年和2004年还被评为全国双优企业 。2006年顺利地通过了环境管理体系认证,取得了ISO14000环境管理 体系认证证书。2006年公司荣获安徽省履行社会责任优秀企业奖,并连续四年被评为安徽省先进技术性企业 。已连续多年荣膺中国电子元件百强企业 。2008年被认定为国家高新技术企业。2009年公司建立实验室和检测中心,并于同年获得UL专业机构 的认证,企业技术中心现已是安徽省级企业技术中心。2013年获得国家火炬重点高新技术企业。已获得有效专利授权15项。
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中电½基南方集团有限公司
WS3A006120E
Silicon Carbide Schottky Diode
Features
Zero Reverse Recovery Current
Zero Forward Recovery Voltage
Positive Temperature Coefficient on V
F
Temperature-independent Switching
175° Operating Junction Temperature
C
1
2
V
RRM
=
1200
9.5
20
V
A
nC
I
F
( T
C
≤135℃)
=
Q
C
=
Package
Benefits
Replace Bipolar with Unipolar Device
Reduction of Heat Sink Size
Parallel Devices Without Thermal Runaway
Essentially No Switching Losses
TO-252
Applications
Switch Mode Power Supplies
Power Factor Correction
AC/DC converters
Part Number
WS3A006120E
Package
TO-252
Marking
WS3A006120E
Maximum Ratings
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
R
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Surge Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Value
1200
1200
1200
19
9.5
6
60
136
160
-55 to
175
Unit
V
V
V
Test Conditions
T
C
= 25℃
T
C
= 25℃
T
C
= 25℃
T
C
≤ 25℃
A
T
C
≤ 135℃
T
C
≤ 160℃
A
W
T
C
= 25℃, t
p
= 8.3ms, Half Sine Wave
T
C
= 25℃
Fig.3
Note
I
F
Forward Current
I
FSM
P
tot
T
C
T
J
, T
STG
Non-Repetitive Forward Surge Current
Power Dissipation
Maximum Case Temperature
Operating Junction and Storage Temperature
WS3A006120E Version 2.0
1
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