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CGC1S06506

产品描述直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.7V @ 6A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小580KB,共4页
制造商世纪金光(CENGOL)
官网地址http://www.cengol.com/
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月,注册资金23656万元,位于北京经济技术开发区,至今有40多年历史积淀。公司以“持续降低能耗”为己任,以“战略新兴半导体材料的研发与生产”为目标,以“自主创新”为战略,经过多年的发展,世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的硏发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的“双创型”高新技术企业。
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CGC1S06506概述

直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.7V @ 6A

CGC1S06506规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)650V
平均整流电流(Io)6A
正向压降(Vf)1.7V @ 6A

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北京世纪金光半导½有限公司
产品规格书
CGC1S06506
SiC
肖特基二极管
特点
零反向恢复电流
高频工½
与温度无关的开关特性
极快的开关特性
V
RRM
I
F
,T
c
=150℃
Q
c
650V
6A
20nC
优点
基本无开关损耗
对散热器要求降½
效率更高
并联器件不会导致热失控
应用
开关电源
功率因数校正
电机驱动器
额定值
参数
反向重复峰值电压
反向浪涌峰值电压
直流反向峰值电压
持续直流电流
正向重复峰值浪涌电流
正向不重复浪涌峰值电流
功率耗散
工½结温范围
储存温度范围
符号
V
RRM
V
RSM
V
DC
I
F
I
FRM
I
FSM
P
tot
T
j
T
stg
650
650
650
6
38
49
113.6
-55
至+175
-55
至+175
单½
V
V
V
A
A
A
W
T
c
=150℃
测试条件
T
c
=25℃,t
p
=10ms,Half Sine Pulse
D=0.1
T
c
=25℃,t
p
=10ms,Half Sine Pulse
T
c
=25℃
热特性
参数
结到壳热阻
符号
R
thJC
最小值
典型值
1.32
最大值
单½
℃/W
测试条件
2018.01-Rev.A
地址:北京市经济技术开发区排干渠西路
17
电话:010-56993369
邮箱:sales@cengol.com
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