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BY25D40ASTIG(T)

产品描述存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:108MHz 技术:NOR Flash 存储器接口类型:SPI 存储器容量:4M
产品类别存储    FLASH存储器   
文件大小855KB,共44页
制造商博雅(BOYAMICRO)
官网地址http://www.boyamicro.com/
珠海博雅科技有限公司于2014年12月落户珠海高新技术开发区,由资深存储器研发团队创建而成。致力于高端闪型存储器芯片研发设计和产业化,公司立足珠海,放眼世界,立志于“中国梦”的崛起,奋发创新。
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BY25D40ASTIG(T)概述

存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:108MHz 技术:NOR Flash 存储器接口类型:SPI 存储器容量:4M

BY25D40ASTIG(T)规格参数

参数名称属性值
存储器类型Non-Volatile
存储器构架(格式)FLASH
时钟频率108MHz
技术NOR Flash
写周期时间(页)0.7ms
存储器接口类型SPI
存储器容量4M
工作电压2.7V ~ 3.6V
工作温度-40℃~+85℃

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Boya Microelectronics
Memory Series
BY25D40/20
4/2M BIT SPI NOR FLASH
Features
● Serial Peripheral Interface (SPI)
- Standard SPI: SCLK, /CS, SI, SO, /WP
- Dual SPI: SCLK, /CS, IO0, IO1, /WP
● Read
- Normal Read (Serial): 55MHz clock rate
- Fast Read (Serial): 108MHz clock rate
- Dual Read: 108MHz clock rate
● Program
- Serial-input Page Program up to 256bytes
● Erase
- Block erase (64/32 KB)
- Sector erase (4 KB)
- Chip erase
● Program/Erase Speed
- Page Program time: 0.7ms typical
- Sector Erase time: 100ms typical
- Block Erase time: 0.3/0.5s typical
- Chip Erase time: 3/2s typical
● Flexible Architecture
- Sector of 4K-byte
- Block of 32/64K-byte
● Low Power Consumption
- 20mA maximum active current
- 5uA maximum power down current
● Software/Hardware Write Protection
- Enable/Disable protection with WP Pin
- Write protect all/portion of memory via software
- Top or Bottom, Sector or Block selection
● Single Supply Voltage
- Full voltage range: 2.7~3.6V
● Temperature Range
- Commercial (0℃ to +70℃)
- Industrial (-40℃ to +85℃)
● Cycling Endurance/Data Retention
- Typical 100k Program-Erase cycles on any sector
- Typical 20-year data retention at +55℃
SOP8 150-mil
SOP8 208-mil
USON8 3*2 mm
May
2017
Rev 1.6
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