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SS16

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A schottky,1A 40V VF<0.7V SMA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小629KB,共2页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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SS16概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A schottky,1A 40V VF<0.7V SMA

SS16规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)60V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)700mV @ 1A

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SS12-110 SERIES
SCHOTTKY
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
ROHS
FEATURES
For surface mounted applications
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Low power loss,high efficiency
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250℃/10 seconds at terminals
The plastic material carries U/L recognition 94V-O
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO -214AC. molded plastic
Terminals: Axial leads. Solderable per MIL - STD - 750
Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.003 ounce. 0.093 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half wave 60HZ. resistive or inductive load. For capacitive load current derate by 20%
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
9.5mm Lead Length. T
A
= 75℃
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half-sine-wave superimposed
on rated T
j
= 125℃
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum Reverse Current
T
A
= 25℃
at Rated DC Blocking Voltage T
A
= 100℃
Typical Junction Capacitance ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance ( Note 2 )
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTE:
V
F
I
R
C
j
R
QJA
T
j
T
STG
I
FSM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
SS12
20
14
20
SS13
30
21
30
SS14
40
28
40
SS15
50
35
50
1.0
SS16
60
42
60
SS18
80
56
80
SS110
100
70
100
UNITS
V
V
V
A
40.0
0.45
6.0
110
88.0
65 to 125
65 to 150
65 to 150
0.55
0.5
5.0
90
0.70
0.85
A
V
mA
pF
℃/W
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. P.C.B.mounted with 0.2×0.2 (5.0×5.0mm)copper pad areas
Rev 8: Nov 2014
www.born-tw.com
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