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BSD3C081L

产品描述极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):17A (8/20us) 箝位电压:18.5V 击穿电压(最小值):8.5V 反向关断电压(典型值):8V SOD-323/0805 VBWM=8V 双向 空气30KA 接触30KA 结电容<3PF
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小707KB,共4页
制造商伯恩半导体(BORN)
官网地址http://www.born-tw.com/
伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括:保护器件(TVS、ESD、TSS) 功率器件(MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR),驱动IC,接口芯片等。BORN拥有天津生产基地(与中科院微电子所合资),河南生产基地(晶圆制造与封测),从晶圆设计,流片到封装测试,BORN力求产品品质的高可靠性,打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品,品质已达到国际先进水平,特别是我公司低电容系列的半导体保护器件,已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者,我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分,包括:汽车车上电子系统、 交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。
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BSD3C081L概述

极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):17A (8/20us) 箝位电压:18.5V 击穿电压(最小值):8.5V 反向关断电压(典型值):8V SOD-323/0805 VBWM=8V 双向 空气30KA 接触30KA 结电容<3PF

BSD3C081L规格参数

参数名称属性值
峰值脉冲电流(10/1000us)17A (8/20us)
箝位电压18.5V
击穿电压(最小值)8.5V
反向关断电压(典型值)8V

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Transient Voltage Suppressors
Features
350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8/20μs)
Unidirectional & Bidirectional Configuration
Protects One Power or I/O Port
ESD Protection > 40 kilovolts
Low Clamping Voltages
Available in Multiple Voltage Types Ranging from 3V to 24V
Ultra Low Capacitance: 1.0 pF Typical
BSD3C(A)XX1L
ROHS
IEC COMPATIBILITY (EN61000-4)
IEC 61000-4-2 (ESD) ±25kV (air), ±15kV(contact)
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
Mechanical Characteristics
Molded JEDEC SOD-323 package
Weight 10 milligrams (Approximate)
Flammability rating UL 94V-0
8mm Tape and Reel Per EIA Standard 481
Device Marking: Marking Code
RoHS/WEEE Compliant
Applications
Ethernet - 10/100/1000 Base T
Cellular Phones
Handheld - Wireless Systems
Personal Digital Assistant (PDA)
USB Interface
PIN Configuration
1
1
2
2
UNIDIRECTIONAL
BIDIRECTIONAL
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