Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> TVS二极管> PESD12VS2UT-N

PESD12VS2UT-N: 产品描述极性：Bidirectional / Unidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：12A (8/20us) 箝位电压：30V 击穿电压（最小值）：13.3V 反向关断电压（典型值）：12V (Max) SOT-23 12V 单向静电TVS PCAN/串口; 产品类别分立半导体 TVS二极管; 文件大小693KB，共4页; 制造商伯恩半导体(BORN); 官网地址http://www.born-tw.com/; 伯恩半导体（深圳）有限公司（BORNSEMI）是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司，是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业，是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售，始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括：保护器件（TVS、ESD、TSS）功率器件（MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR），驱动IC，接口芯片等。BORN拥有天津生产基地（与中科院微电子所合资），河南生产基地（晶圆制造与封测），从晶圆设计，流片到封装测试，BORN力求产品品质的高可靠性，打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品，品质已达到国际先进水平，特别是我公司低电容系列的半导体保护器件，已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者，我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分，包括：汽车车上电子系统、交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。

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PESD12VS2UT-N概述

极性：Bidirectional / Unidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：12A (8/20us) 箝位电压：30V 击穿电压（最小值）：13.3V 反向关断电压（典型值）：12V (Max) SOT-23 12V 单向静电TVS PCAN/串口

PESD12VS2UT-N规格参数

参数名称	属性值
极性	Bidirectional / Unidirectional
峰值脉冲电流（10/1000us）	12A (8/20us)
箝位电压	30V
击穿电压（最小值）	13.3V
反向关断电压（典型值）	12V (Max)

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ESD Protection Diode Array

PESD12VS2UT-N

Features

■

300 Watts peak pulse power (tp = 8/20μs)

Bidirectional and unidirectionalconfigurations

Solid-state silicon-avalanche technology

Low clamping voltage

Low leakage current

Low capacitance (C

=60 pF typ.)

Protection two data lines

IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air

IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns)

IEC 61000-4-5 (Lightning) 12A(8/20μs)

Applications

■

Mechanical Data

■

Dataline

Automatic Teller Machines

Net works

Power line

SOT23-3L package

Molding compound flammability rating: UL 94V-0

Packaging: Tape and Reel

RoHS/WEEE Compliant

Schematic & PIN Configuration

SOT-23 (Top View)

Revision 2018

www.born-tw.com

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