漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:P沟道 MOSFET,P-channel 20/12V 3.7A VGS(th)=1V 50mΩ@3.7A&4.5V,SOT-23
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.7A |
栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 65mΩ @ 3.7A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.1W |
类型 | P沟道 |
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